间隙氮诱导内建极化电场提升Zn2SnO4N光电极的电化学性能

摘要： 通过一步微波辅助溶剂热法成功制备了高活性Zn2SnO4N光催化剂。氮杂原子通过占据间隙位点引入Zn2SnO4晶格，诱导形成内建极化电场和杂质能级，这有利于促进光生电子-空穴对的分离与迁移。结果表明，所制备的Zn2SnO4N展现出更优的光电化学性能，其对罗丹明B的光降解速率较纯Zn2SnO4提高了3.3倍。在内建电场作用下，杂质能级作为电子跃迁的跳板而非复合中心，从而增强了光催化性能。该发现为理解掺杂改性机制提供了新思路。