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偏振工程化的AlGaN末量子垒用于高效深紫外发光二极管
摘要： 基于氮化铝镓（AlGaN）的深紫外发光二极管（DUV LEDs）已被视为一种有前景的无汞紫外光源。然而，传统DUV LED中观察到的严重电子溢出和低空穴注入效率会降低器件性能，这是由于最后一个量子垒（LQB）与电子阻挡层（EBL）之间强极化电场导致的能带向下弯曲所致。本研究提出采用Al组分从0.5线性递增至0.65的组分渐变AlGaN层作为LQB，以替代传统的平坦LQB，在提高电子阻挡能力的同时降低空穴注入的有效势垒高度。由此可获得显著的输出功率提升。此外，进一步研究表明渐变LQB的厚度决定了LQB内的能带弯曲程度，从而有效抑制电子泄漏，最终实现输出功率的增强。对LQB的深入研究可为未来高效DUV LED的实现铺平道路。
关键词： 电子阻挡层、紫外发光二极管、光输出功率、极化场、渐变最后一个量子垒
更新于2025-09-23 15:19:57
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基于AlGaN的量子结构设计用于低阈值UVC激光器
摘要： 研究了生长在氮化铝衬底上的氮化镓铝基量子结构的极化场对发射特性的影响，该影响随阱宽、垒宽和垒高变化而改变。采用薄氮化镓铝阱与薄氮化铝垒的设计方案，将极化场降至约0.5兆伏/厘米，从而在光泵浦配置下实现了3千瓦/平方厘米的超低激光阈值。这些实验结果用于验证模拟计算。下一步设计了具有Al0.7Ga0.3N垒的结构，在保持光学性能损失最小的情况下支持载流子注入。该结构在光泵浦下呈现7千瓦/平方厘米的阈值，电注入时估算阈值电流为8千安/平方厘米。
关键词： UVC激光器、AlGaN、量子结构、激光阈值、极化场
更新于2025-09-12 10:27:22