三元铜碲硒半导体纳米薄膜在柔性与刚性基底上的欠电位共沉积

摘要： 为实现三元化合物的均匀组成，溶液中各组分的生长速率必须相等且过程同步。某一组分的生长条件不应阻碍其他组分的生长。本文采用恒电位电化学欠电位共沉积(UPCD)法，在相同溶液中于氧化铟锡(ITO)包覆聚对苯二甲酸乙二醇酯(ITO-PET)、ITO包覆玻璃及金板基底上合成了Cu3Te2Se2半导体纳米薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱、紫外-可见吸收光谱(UV/Vis)及电流-电压(I-V)测试，确定了合成纳米薄膜的化学、形貌及光学特性。X射线光电子能谱证实沉积纳米薄膜的化学式为Cu3Te2Se2。SEM图像显示Cu3Te2Se2纳米薄膜呈均匀纳米级(~40 nm)分布。根据不同沉积时间和电位测定了沉积薄膜的带隙。XRD结果表明Cu3Te2Se2纳米薄膜具有晶态单相结构。最后，室温(RT)常光条件下Cu3Te2Se2/ITO异质结的I-V曲线与二极管模型特征相符。