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oe1(光电查) - 科学论文

13 条数据
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  • 通过反应溅射法在聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺聚合物薄膜上沉积TiO?光催化剂以制备柔性光催化片材

    摘要： 多晶锐钛矿型TiO?薄膜通过射频反应磁控溅射沉积在聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）或聚酰亚胺（PI）基材上，其TiO?薄膜与基材之间设有不同缓冲层（如SiO?或Zn?SnO?（ZTO））。这种在可见光区域具有高透光率的TiO?/（SiO?或ZTO）/（PET或PI）复合薄膜，在以352 nm为中心波长的黑光紫外照射下表现出优异的乙醛（CH?CHO）光分解能力。当采用SiO?作为缓冲层时，紫外照射后可在靠近缓冲层的聚合物基材全区域观察到明显的"纳米孔层"结构；而使用ZTO作为缓冲层时，该降解现象得到显著抑制。此类光催化薄膜经紫外照射后还表现出光致亲水性，其纯水接触角可降至约5°。通过在TiO?薄膜最外层以3.0 Pa较高总气压进行反应溅射额外沉积SiO?后，该光致亲水性能在黑暗环境中可保持98天以上。这种在PET或PI基材上构建的三层结构SiO?/TiO?/ZTO，有望成为兼具持久光致亲水特性的柔性光催化薄膜。

    关键词： PET、TiO2、光催化剂、PI、反应溅射、柔性衬底

    更新于2025-11-19 16:51:07

  • （特邀）低温水溶液法制备氧化物薄膜晶体管技术

    摘要： 氧化物半导体的溶液加工技术是实现氧化物薄膜晶体管（TFT）简单低成本制备的有前景方法。我们通过将氢注入氧化（HIO）工艺应用于高性能低温氧化物TFT的制备，展示了改进的TFT特性。当HIO方法应用于溶液加工的金属氧化物TFT时，该技术对柔性基板的兼容性也得到了验证。

    关键词： 溶液加工、柔性衬底、低温制备、氧化物薄膜晶体管、氢注入与氧化

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 基于高性能非晶BeZnO合金的刚性及柔性衬底日盲紫外光电探测器

    摘要： 本研究通过在高Be掺杂含量的非晶薄膜（分别制备于刚性c-蓝宝石及柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底上），调控三元合金BeZnO的带隙使其适用于日盲紫外(UV)辐射探测。沉积一对平行Al电极后，构建了峰值响应度出现在约230 nm处、截止波长小于284 nm的基于非晶BeZnO合金的日盲紫外光电探测器(PDs)。三种衬底上制备的PDs均展现出极低暗电流（分别为58.7 pA、2.9 pA和1.8 pA）。时间依赖的光响应循环测试证实器件具有可重复性且对日盲紫外辐射敏感。更重要的是，这些器件表现出快速响应特性——上升时间约40 ms，尤为突出的是衰减时间仅约10 ms的极速恢复速度。本研究为在不同衬底上构建高性能PDs提供了方法，其中在柔性衬底上制备非晶日盲紫外PDs的工作，有望为可变形PDs的设计提供指导意义。

    关键词： 非晶BeZnO合金，快速恢复速度，日盲光电探测器，柔性衬底，高铍含量

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 采用插层石墨烯单层电极的1微米厚量子点光电探测器实现近全光吸收与全电荷收集

    摘要： 量子点（QDs）在光电子学领域具有多项优势，如易于溶液加工、强光吸收能力以及可通过尺寸调控的直接带隙。然而其主要局限在于薄膜迁移率较低且扩散长度短（<250纳米）。为保证电荷收集效率，这一特性将量子点薄膜厚度限制在约200-300纳米——扩散长度对薄膜厚度存在制约。如此薄的薄膜导致量子点光电探测器与光伏器件在波长>700纳米时量子效率显著下降，造成近红外波段光响应度降低及太阳光谱吸收不足。本研究展示了一种采用插层石墨烯电荷收集器的1微米厚量子点光电探测器，避免了多数量子点光电器件在λ>700纳米时出现的量子效率骤降现象。通过间距100纳米的插层石墨烯层作为电荷收集器，1微米厚的插层量子点薄膜在保持高效电荷提取的同时实现了强光吸收，在600-950纳米波长范围内维持90%-70%的量子效率。实验证明石墨烯对光吸收的影响极小。该器件实现了<1秒的时间调制响应，并可在柔性PET衬底上制备，在经历1000次弯曲测试后仍保持70%的原始性能。该系统为量子点在柔性衬底上实现高性能光电探测与高转换效率光伏应用提供了新途径。

    关键词： 光电子学、光电探测器、量子点、石墨烯、柔性衬底

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 利用太赫兹时域光谱技术探测石墨烯中的费米速度重整化

    摘要： 我们证明太赫兹时域光谱（THz-TDS）是一种精确、快速且可扩展的方法，可用于探测石墨烯中电荷载流子相互作用诱导的费米速度重整化νF*。这使得通过THz-TDS能够定量提取任意衬底上大面积石墨烯薄膜的所有电学参数（直流电导率σDC、载流子密度n和载流子迁移率μ）。特别值得注意的是相对介电常数较低（<5）的衬底（如聚合物薄膜），即使在高载流子密度（>1012 cm-2，费米能级>0.1 eV）下也能观察到显著的重整化效应。从应用角度看，快速、无损地量化和绘制通用衬底上大面积石墨烯的电学（σDC、n、μ）和电子学（νF*）特性的能力，对于将该材料应用于计量学、柔性电子学以及利用聚合物作为处理层监测石墨烯转移过程至关重要。

    关键词： 石墨烯，太赫兹时域光谱，费米速度重整化，迁移率成像，柔性衬底

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 溶液法制备的一维CsCu?I?纳米线用于偏振敏感且柔性的紫外光电探测器

    摘要： 偏振敏感紫外（UV）光电探测器因其重要应用价值备受期待。作为新兴功能半导体，金属卤化物钙钛矿凭借优异的光电特性在光探测领域引发广泛关注。然而现有偏振钙钛矿探测器主要集中于可见/红外光区，针对紫外波段的器件尚未见报道。本研究首次采用三元铜卤化物CsCu2I3纳米线作为光吸收材料实现偏振敏感紫外探测，通过结合其非对称结构的本征各向异性与纳米线外部形貌各向异性，获得了创纪录的~3.16光电流各向异性比，同时有效克服了传统铅基钙钛矿的铅毒性和环境不稳定性缺陷。此外，柔性基底制备的该探测器展现出优异柔韧性与稳定性，在经历1000次极端弯曲后仍几乎无光响应性能衰减。结果表明，无铅CsCu2I3纳米线有望成为适用于实际应用的高性能偏振敏感紫外探测器的理想候选材料。

    关键词： CsCu2I3纳米线、偏振敏感、金属卤化物钙钛矿、无铅、紫外光电探测器、柔性衬底

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 评估商用建筑透明光伏窗的发电量与节能效益

    摘要： 基于并五苯（C22H14）的高压有机薄膜晶体管（HVOTFT）在刚性和柔性基底上均得以实现。该HVOTFT在弯曲状态下电流-电压（I-V）特性表现出极小的退化。与先前关于非晶硅（a-Si）TFT的报道一致，偏移漏极/源极结构实现了高压操作，使HVOTFT能够以相对较低的控制电压（0 V< VG < 20 V）切换极大的漏源电压（VDS > 300 V）。通过采用三种不同的栅极绝缘体对HVOTFT进行评估，以研究介电常数和界面态对器件性能的影响。由于器件内产生的高电场，HVOTFT出现了电荷注入栅控半导体通道受阻的情况（类似于基于a-Si的高压TFT所报道的现象），以及类似场效应晶体管中短沟道效应的非饱和I-V特性行为。通过引入场板结构改善了栅控半导体通道的电荷注入。对HVOTFT的输出特性进行数值修正后表明，该器件的I-V特性可采用现有的硅基FET模型进行建模。

    关键词： 柔性衬底、高κ栅介质、有机薄膜晶体管（HVTFTs）、高压半导体

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 柔性Cu????Cd?Sn(S,Se)?太阳能电池中的电流分流机制

    摘要： 部分阳离子替代是抑制缺陷和载流子复合的有效方法，可提高Cu2ZnSn(S,Se)4（CZTSSe）太阳能电池的效率。本文通过绿色溶液法，在钼箔上制备了部分镉替代锌的柔性Cu2Zn1?xCdxSn(S,Se)4（x=0-15%）太阳能电池。当Cd/(Zn+Cd)=8%时器件性能最佳，效率达6.49%，且器件重复性显著提升。EU值从24meV降至15meV，表明反位缺陷和带尾效应得到有效抑制。C-V数据显示掺镉后Wd和Vbi增强，形成更强的内建电场促进费米能级分裂，从而增大吸收层向结界面的能带弯曲。此外，采用含三条并联电流路径的等效电路模型拟合J-V曲线研究了分流机制。部分锌替代镉使太阳能电池二极管的关键参数A、J0和Rsh显著改善，证明分流损耗被抑制且结质量提升，最终大幅提高了器件重复性。

    关键词： 电流分流、Cu2ZnSn(S,Se)4太阳能电池、镉替代、钼箔、柔性衬底

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 美国伊利诺伊州芝加哥（2019年6月16日至2019年6月21日）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 晶硅组件的湿热降解是否具有普遍性？

    摘要： 在刚性及柔性基底上均制备出了基于并五苯（C22H14）的高压有机薄膜晶体管（HVOTFT）。该器件在弯曲状态下电流-电压（I-V）特性几乎无衰减。与先前关于非晶硅（a-Si）TFT的报道一致，采用偏移漏极/源极结构实现了高压工作，使HVOTFT能以较低控制电压（0 V< VG < 20 V）切换极高漏源电压（VDS > 300 V）。通过三种不同栅绝缘层评估了介电常数和界面态对器件性能的影响。由于器件内产生高电场，HVOTFT存在电荷注入栅控半导体沟道受阻的问题（类似a-Si基高压TFT报道现象），同时呈现类似场效应晶体管短沟道效应的非饱和I-V特性。采用场板结构改善了栅控半导体沟道的电荷注入。通过数值修正HVOTFT输出特性，证明该器件I-V特性可采用现有硅基FET模型进行建模。

    关键词： 柔性衬底、高κ栅介质、有机薄膜晶体管（HVTFTs）、高压半导体

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 一种基于线性D-π-A结构的高性能刚性与柔性平面有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池用空穴传输材料

    摘要： 一种简便且低成本的空穴传输材料对于在不影响环境稳定性的前提下提升钙钛矿太阳能电池（PSC）的功率转换效率（PCE）至关重要。本研究通过引入给体-π-受体（D-π-A）结构设计并合成了一类新型HTM材料。该HTM由三苯胺（电子给体）、联苯（π间隔基）和恶二唑衍生物（电子受体）组合而成，命名为4′-(5-(4-(己氧基)苯基)-1,3,4-恶二唑-2-基)-N,N-双(4-甲氧基苯基)-[1,1′:4′,1′′:4′′,1′′′-四联苯]-4-胺（TPA-BP-OXD）。联苯π间隔基的引入增强了π-π共轭效应。该HTM以恶二唑基团封端，形成基于D-π-A结构的材料，其π-π相互作用显著改善了电荷传输性能。我们通过光物理、热学、电化学及电荷传输特性表征对该HTM进行了系统研究。其优异特性促使我们在刚性和柔性基底上探索其作为无掺杂空穴传输材料在平面反式钙钛矿太阳能电池（i-PSCs）中的应用?；谌芤悍ㄖ票傅奈薏粼覶PA-BP-OXD HTM器件在刚性和柔性基底上分别实现了15.46%和12.90%的PCE，且迟滞效应可忽略——这是平面i-PSCs中采用TPA-BP-OXD HTM取得的最佳效果之一。由于该HTM能更高效地提取和传输钙钛矿材料的空穴、减少界面电荷复合并增强疏水性以提升稳定性，基于TPA-BP-OXD HTM的器件性能与稳定性均表现更优。本研究证实了TPA-BP-OXD基HTM在平面i-PSCs中的应用潜力。

    关键词： 钙钛矿太阳能电池、空穴传输材料、给体-π-受体结构、功率转换效率、柔性衬底

    更新于2025-09-12 10:27:22