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脉冲激光沉积法制备的YSZ薄膜经后退火处理后的电学性能影响
摘要： 本文详细分析了原位退火对脉冲激光沉积法在硅衬底上生长的氧化钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜电学性能的影响。优化后的金属/YSZ/硅器件表现出低漏电流、良好的介电强度和4.13 MV/cm的击穿场强。通过MOS结构的电容-电压(C-V)特性提取了平带电压和界面电荷密度的数值。C-V特性显示出微小迟滞现象，表明存在陷阱态。借助X射线光电子能谱(XPS)解释了平带电压偏移和迟滞现象的成因。通过对样品的XPS深度剖析发现：从表面到界面方向，沉积薄膜中的氧浓度逐渐降低，即氧化物趋向富锆状态。该现象与观测到的电学特性具有关联性。
关键词： 薄膜、界面、介电击穿、栅极介质、氧化锆（ZrO2）、脉冲激光沉积
更新于2025-09-16 10:30:52
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采用低压化学气相沉积法制备双层SiN<sub>x</sub>栅介质的GaN晶体管中增强的栅堆叠稳定性
摘要： 我们报道了通过采用双层SiNx作为栅介质，在氮化镓金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）中实现了增强的栅堆叠稳定性。为实现该双层栅介质方案，先通过低压化学气相沉积沉积一层富硅SiNx中间层，再沉积高阻SiNx层。富硅SiNx能有效抑制介质/AlGaN势垒界面的陷阱现象，上层高阻SiNx层可大幅阻断栅极漏电流以实现大栅摆幅。与采用单一富硅或高阻SiNx层的MISHEMT相比，双层栅介质MISHEMT兼具两者优势，实现了阈值电压稳定且漏电流低的栅堆叠。这些结果表明，采用双层SiNx栅介质方案开发高性能GaN MISHEMT在高效功率应用领域具有巨大潜力。
关键词： 低压化学气相沉积，氮化硅，双层结构，栅极介质，金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管，氮化镓
更新于2025-09-04 15:30:14