[电气工程讲义] 通信、计算与电子学最新趋势 第524卷（IC3E 2018精选会议录）|| 零温度系数偏置点下非对称与对称双金属双栅SOI MOSFET的对比分析

摘要： 绝缘体上硅（SOI）技术具有更高的电流驱动能力、低功耗、减少短沟道效应以及沟道长度的大幅缩放优势。但基于SOI的MOSFET存在热稳定性较弱的问题，例如自加热效应。本文提出在零温度系数（ZTC）偏置点对非对称双金属双栅（ADMDG）和对称双金属双栅（SDMDG）器件进行对比分析。ZTC是器件特性不受温度变化影响的偏置点。通过二维Atlas模拟器对ADMDG和SDMDG器件进行仿真，二维Atlas仿真揭示了跨导（gm）、输出电导（gd）、本征增益（Av）、导通电流（Ion）、截止电流（Ioff）、导通-截止电流比（Ion/Ioff）以及截止频率（fT）等品质因数（FOMs）。仿真结果显示器件存在拐点现象，并比较了ADMDG与SDMDG MOSFET的跨导ZTC点（ZTCgm）和漏极电流ZTC点（ZTCIDS）的变化情况。