[IEEE 2019年第四届纳杰夫国际科学会议(SICN) - 伊拉克纳杰夫(2019.4.29-2019.4.30)] 2019年第四届纳杰夫国际科学会议(SICN) - 基于MATLAB与Proteus的太阳能电池及正弦脉宽调制逆变器仿真

摘要： 阻变存储器（RRAM）因其可调电阻、低功耗和可扩展性，被提议作为神经形态电路中的人工突触。为开发高密度神经形态电路，验证最先进的双稳态RRAM并引入可作为人工突触的小面积构建?？橹凉刂匾１疚奶岢鲆恢钟傻ゾ骞?单电阻结构组成的新型突触电路，其中电阻元件为具有双极开关特性的HfO? RRAM。该研究在RRAM的确定性与随机性两种状态下均实现了脉冲时序依赖可塑性。最后通过模拟全连接神经形态网络，展示了在不同POST脉冲电压下实现在线无监督模式学习与识别。结果表明双稳态RRAM可作为神经形态电路中高性能人工突触的优选方案。