[IEEE 2018年第三届物联网国际会议：智能创新与应用(IoT-SIU) - 印度巴姆塔尔(2018.2.23-2018.2.24)] 2018年第三届物联网国际会议：智能创新与应用(IoT-SIU) - 基于InGaAs/InP的100V横向沟槽功率MOSFET

摘要： 本文提出了一种基于高迁移率InGaAs材料上的横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（LT-MOSFET）。该LT-MOSFET采用沟槽技术设计，其栅电极垂直置于p体区左端沟槽内。漂移区的沟槽引入了RESURF效应以降低电场强度并提升器件击穿电压。通过二维数值模拟显示，在相同单元间距和栅极长度条件下，相较于传统横向MOSFET（CLMOSFET），该LT-MOSFET的击穿电压提高了2.4倍，优值系数提升了3.3倍。