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oe1(光电查) - 科学论文

19 条数据
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  • 通过插入TiO2中间层改进低温制备金属/n型硅欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管

    摘要： 在ITO/PET柔性衬底上制备了可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管（SiNMs TFTs），该方法通过原子层沉积（ALD）在低温（90°C）下插入二氧化钛（TiO2）中间层来改善金属/n型硅（Si）接触特性。钛（Ti）/插入层（IL）/n-Si结构的电流-电压特性表明其通常为欧姆接触。X射线光电子能谱（XPS）结果显示TiO2富含氧空位，这可能对TiO2进行掺杂并降低电阻。通过在Ti和n-Si之间插入TiO2，可弯曲单晶SiNMs TFTs的漏极电流（Ids）比未插入TiO2层的器件提高了3-10倍。所制备的柔性器件展现出优异的柔韧性能，在800次弯曲半径为0.75 cm的弯曲测试中电学特性几乎保持不变，证实了其耐弯折性。所有结果表明，在可弯曲单晶SiNMs TFTs制备中插入TiO2中间层是改善金属/n-Si欧姆接触的有效方法。

    关键词： 欧姆接触、薄膜晶体管、单晶硅纳米膜（Si NMs）、二氧化钛插入层

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 采用还原氧化石墨烯/金新型电极结构的CVD金刚石薄膜α粒子探测器

    摘要： 采用MPCVD技术在硅衬底上沉积了(111)取向多晶金刚石薄膜(PCDs)，并成功在其表面制备了还原氧化石墨烯(RGO)/金新型电极结构。通过圆形传输线模型(CTLM)测试显示，PCD表面RGO/Au电极的接触电阻为6.6 Ω·cm?2，显著低于Ti/Pt/Au电极的97.4 Ω·cm?2。分别采用这两种电极制备了探测器，在241Am源5.5 MeV α粒子辐照下观测其暗电流、光电流及能量分辨率。结果表明：RGO/Au电极在PCD上实现了优质欧姆接触，100 V偏压下RGO/Au电极探测器光电流达58.7 nA，明显高于Ti/Pt/Au电极探测器的8.8 nA；得益于RGO/Au电极与PCD表面的良好接触，该探测器能量分辨率11.9%优于Ti/Pt/Au电极的24%。在PCD上制备RGO/Au电极为提升α粒子辐照下的探测性能提供了可行途径。

    关键词： α粒子辐照、金刚石薄膜、欧姆接触、RGO/Au电极、拉曼光谱

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 铟锡氧化物（ITO）/铜铟镓硒（CIGS）界面结构与电学性能的调控及其在透明背接触中的应用

    摘要： 对于双面Cu(In,Ga)Se2(CIGS)光伏器件而言，开发透明导电氧化物(TCO)背接触层对CIGS吸收层至关重要。然而TCO/CIGS界面处GaOx的形成阻碍了光生载流子的提取。本研究通过调控钠掺杂方案证明：无论是否形成GaOx，铟锡氧化物(ITO)/CIGS背接触层的空穴传输性能均可显著提升。在GaOx形成阶段，来自玻璃基底的钠掺入会在界面产生缺陷态，从而实现CIGS的高效空穴提?。欢鳪aOx形成后的后处理钠掺杂则无此效果。此外我们发现，通过减薄底层ITO薄膜厚度可制备近乎无GaOx的界面，这表明ITO/CIGS结本质上是肖特基结。在无GaOx条件下，后处理钠掺杂能通过界面导电通道的生成消除肖特基势垒并形成欧姆接触——该结论得到了光致发光分析的有力佐证。

    关键词： 肖特基势垒，氧化铟锡，光伏，钠掺杂，硒化镓(Ga)Se2，欧姆接触，氧化镓(GaOx)，透明导电氧化物，铜铟(Cu(In)

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 轻掺杂n型β-Ga?O?与Mg/Au欧姆接触的电流传输机制

    摘要： 研究了轻掺杂β-Ga2O3的Mg/Au欧姆接触载流子输运机制。当样品在400°C退火时获得了优异的欧姆接触，其比接触电阻为4.3×10?? Ω·cm2。针对退火样品，研究了300至375K温度范围内的比接触电阻温度依赖性。测试温度升高时，比接触电阻从4.3×10??降至1.59×10?? Ω·cm2。结合E00判据判断，电流传输的基本机制以热电子发射理论为主导。通过热电子发射模型拟合实验数据，评估退火样品中Mg/Au与β-Ga2O3之间的有效势垒高度为0.1eV。

    关键词： 有效势垒高度，β-氧化镓，Mg/Au，欧姆接触，热电子发射理论

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于氮化镓激光二极管的Pd/p-GaN接触的结构与电学特性

    摘要： 本文探讨了基于GaN的激光二极管中Pd基p型接触层的特性。钯（Pd）常被选作p-GaN欧姆接触的金属材料，但Pd/p-GaN欧姆接触界面处观察到的纳米空洞会影响器件可靠性和重复性。作者通过X射线光电子能谱（XPS）和扫描透射电子显微镜（STEM）对Pd/p-GaN界面微观结构进行了深入分析。STEM数据显示p-GaN/Pd界面的微空洞形成于快速热退火过程，其成因可能涉及以下因素的综合作用：(1)材料间热膨胀系数差异；(2)半导体、界面及金属中过量基质原子或杂质原子释放形成的气体；(3)Pd对富镓p-GaN表面产生的强反润湿效应。退火过程中采用缓慢升温速率可抑制界面气体聚集，从而减少空洞形成。XPS数据表明，通过适当清洁p-GaN表面可降低Ga/N比以增强Pd附着性。通过对表面洁净度与退火参数的系统优化，最终实现了无空洞且洁净的Pd/p-GaN界面，使同外延层结构的特定接触电阻值在1mA测试电流下通过线性传输线法测量降低一个数量级至2×10?3 Ω·cm2。

    关键词： Pd/p-GaN接触、扫描透射电子显微镜（STEM）、纳米空洞、欧姆接触、快速热退火、X射线光电子能谱（XPS）、氮化镓基激光二极管

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 采用AgCu合金的Ag反射器在高效GaN基发光二极管中具有高可靠性

    摘要： 我们提出采用银反射层与银铜合金层作为高功率倒装及垂直发光二极管（LED）的热可靠性反射器。通过退火沉积的银层和铜层，在LED上形成了来自合金化银铜层的混合晶粒与晶界，且铜氧化物纳米点在晶界处析出。随后沉积厚银铜层以覆盖该银铜合金层。晶界处铜氧化物纳米点的析出抑制了银的团聚，从而在退火过程后提升了光反射率。因此，经500°C高温退火处理的合金化银铜/银反射器展现出78%的更高反射率及7.0×10?? Ω·cm2的更低接触电阻。

    关键词： 发光二极管，银铜合金，反射器，纳米点，欧姆接触

    更新于2025-09-23 19:22:39

  • 35.3：用于非晶硅锡氧化物薄膜晶体管的自形成纳米级金属氧化物接触中间层

    摘要： 在采用钼（Mo）源/漏电极的非晶硅锡氧化物薄膜晶体管（a-STO TFTs）中，金属氧化物中间层的形成由预退火工艺诱导产生。截面高分辨透射电子显微镜图像证实形成了约8纳米的MoOx中间层。在Mo电极与a-STO之间引入MoOx中间层改善了a-STO TFT中的电子注入性能。邻近a-STO半导体的Mo从富氧表面的a-STO薄膜获取氧原子，从而形成MoOx中间层。这种自形成的MoOx中间层作为高效的界面改性层，既能促进阶梯式内传输势垒的形成，又能阻止Mo原子扩散进入a-STO层，从而有助于在Mo与a-STO薄膜之间形成欧姆接触。

    关键词： 自形成中间层，非晶硅锡氧化物，功函数，薄膜晶体管，欧姆接触

    更新于2025-09-23 23:09:50

  • III族氮化物欧姆接触的电物理与物理化学特性

    摘要： 分析了基于氮化镓（GaN）和（铟、铝、镓）氮化物（(In, Al, Ga)N）固溶体单层与多层金属化欧姆接触的实验数据。研究了未掺杂GaN上Ti/Al/Mo/Au和Ti/Al/Mo/W/Au金属化层的接触电阻，探讨了金属化前GaN表面处理方式及金属化退火工艺对接触电阻的影响规律。

    关键词： 氮化镓，表面处理，(AlInGa)N固溶体，欧姆接触，金属化，电荷中性能级

    更新于2025-09-24 00:15:11

  • 用于深紫外发光二极管的金属-绝缘体-半导体结构，以增强阴极区域的电子注入

    摘要： 在本研究中，我们提出在n型AlGaN层上采用金属-绝缘体-半导体（MIS）结构来降低接触电阻并提升基于AlGaN的深紫外发光二极管（DUV LED）的墙插效率（WPE）。阴极金属与n-AlGaN层之间的薄绝缘体可分担偏压，使n-AlGaN层表面耗尽程度降低，从而使MIS型阴极结构更有利于电子的带间隧穿效应。此外，采用MIS结构能使金属的电子亲和能与n-AlGaN层的导带能级对齐，从而避免电子通过热电子发射进行传输。得益于MIS型阴极，我们发现即使使用具有较大电子亲和能的金属，也能获得优异的电子传输性能。本研究还深入分析了绝缘体的相对介电常数、带隙、电子亲和能、长度及厚度对DUV LED电子传输和WPE的影响。结果表明，在MIS型阴极区域促进电子隧穿需要选用低介电常数的绝缘体。

    关键词： 绝缘体、深紫外发光二极管、欧姆接触、n型氮化铝镓、金属-绝缘体-半导体结构

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 基于石墨烯的等离子体波太赫兹应用器件

    摘要： 石墨烯的独特性质相结合，能够实现可能彻底改变太赫兹（THz）电子技术的石墨烯等离子体器件。高载流子迁移率使其能够激发共振等离子体波。石墨烯的双极性特性为等离子体波激发提供了不同机制。双层及多层石墨烯结构可实现更优的太赫兹器件构型。石墨烯与h-BN、黑磷等材料体系形成高质量异质结构的能力，支持由石墨烯与其他新兴材料最优特性构成的先进异质结构器件。特别是利用黑磷化合物冷却石墨烯中的电子-空穴等离子体，可显著改善太赫兹激光的工作条件。高光学声子能量使石墨烯能实现更高等离子体频率，而高面载流子密度则支撑该频率。石墨烯技术的最新进展，结合对太赫兹等离子体器件物理及器件设计的更深入理解，有望使石墨烯太赫兹等离子体技术成为石墨烯关键应用之一。等离子体石墨烯技术的商业化面临与其他石墨烯应用相同的挑战——难以制备均匀的大尺寸高质量单层/双层石墨烯及异质结构，以及制作低电阻稳定的欧姆接触。目前大规模石墨烯电子器件应用的时间表已延至2030年代。但新兴的石墨烯量产技术可能使太赫兹等离子体技术的商业化应用更早实现。

    关键词： 异质结构、石墨烯、黑磷、欧姆接触、等离子体波、太赫兹技术、太赫兹、等离子体器件、光学声子能量、载流子迁移率

    更新于2025-09-19 17:13:59