强疏水厚多孔硅染色膜特性的研究

摘要： 通过氢氟酸（HF）和五氧化二钒（V2O5）混合溶液对p型硅基底进行化学蚀刻，成功制备出具有强疏水性的多孔硅（PSi）结构。采用扫描电子显微镜（SEM）、接触角测量和傅里叶变换红外光谱（FTIR）对加工后硅表面的形貌与微观结构进行了表征。结果表明：所获结构呈现具有硅多孔柱（PPSi）的分级多孔表面，且表面展现出优异的疏水性。在10ppm二氧化氮（NO2）气体环境中测试了这些PPSi结构的电学性能，室温下响应时间约为30秒。研究证实PPSi/Si结构长期保持高疏水性，适用于自清洁领域，并有望成为制备实用化NO2传感器的优良候选材料。