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oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
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  • 利用新型硫脲配合物作为单源前驱体调控硫化铜纳米结构的形貌与晶相

    摘要： 硫化铜薄膜和纳米颗粒分别通过气溶胶辅助化学气相沉积和溶剂热热注射法制备。两种方法均采用基于杂环胺的苯甲酰硫脲合铜(II)配合物作为单源前驱体。根据沉积温度不同，观察到形态多样的硫化铜薄膜，从立方体到雪状或不规则晶体均有出现。沉积薄膜的粉末X射线衍射研究表明形成了六方和立方相硫化铜。对于纳米颗粒，在十二烷基硫醇中于150、190和230°C温度下获得了Roxbyite相(Cu1.75S)。然而在油胺存在时观察到纳米颗粒具有择优生长特性，此时Roxbyite相在150、200和250°C温度下形成。透射电子显微镜还显示形成了近球形、六方纳米盘和棒状纳米颗粒。

    关键词： 气溶胶辅助化学气相沉积、纳米粒子、杂环硫脲、硫化铜、热解、薄膜

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）法合成掺杂多壁碳纳米管（MWCNT）的纳米结构花椰菜状氧化钨图案

    摘要： 我们首次报道了在400°C下通过气溶胶辅助化学气相沉积法，以六羰基钨和多壁碳纳米管为前驱体、甲苯为溶剂，在石英玻璃基底上制备的纳米结构氧化钨（WO）花椰菜状薄膜。采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱和紫外-可见光谱以及四探针法对薄膜的微观结构、光学及电学性能进行表征。表面形貌显示纳米花椰菜状结构生长后伴随高角度晶界球形纳米颗粒的团聚。结构分析表明晶体相从三斜晶系转变为四方晶系，(020)晶面优先转变为(001)晶面，并在700-900 cm-1区间出现W-O-W对称振动特征峰（掺杂导致该特征略有扰动）。此外，由于多壁碳纳米管在晶界处团聚及高掺杂比例下钨与碳纳米管离子半径失配引发的"纳米裂纹"，薄膜电阻率呈现15-109 Ω·cm的不规律变化。黑色薄膜在300-400 nm波段光学透过率下降，这归因于多壁碳纳米管引入的陷阱位点和缺陷。多壁碳纳米管掺杂导致的费米能级分裂使带隙能量增至3.18 eV范围，这种特性使其在氧化钨基新材料体系中兼具光捕获与储能功能。

    关键词： 薄膜、氧化钨、纳米花椰菜、气溶胶辅助化学气相沉积

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 液态氧化镍钙钛矿敏化太阳能电池的卓越光电流密度与IPCE

    摘要： 迄今为止，p型敏化太阳能电池所报道的效率和光电流密度仍落后于n型同类产品，这限制了p-n串联电池的成功发展。为解决这一问题，采用气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）技术制备NiO薄膜并应用于p型太阳能电池。通过系统研究阐明了液态NiO基敏化太阳能电池中NiO厚度与功率转换效率（PCE）的关联规律。通过精心设计电池组件，该器件在使用碘/三碘化物作为氧化还原穿梭体时展现出超过18 mA cm-2的最高光电流密度（Jsc），其性能与TiO2同类产品相当。这一成果通过以下方式实现：(1)采用AACVD技术一步沉积致密且多孔的NiO电极；(2)通过控制沉积时间优化NiO层厚度；(3)采用顺序沉积法制备的甲铵铅碘（CH3NH3PbI3）作为光捕获材料。

    关键词： 气溶胶辅助化学气相沉积、光伏、氧化镍、钙钛矿

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 通过简便的单步气溶胶辅助化学气相沉积法制备光活性CaTiO3-TiO2复合薄膜电极

    摘要： CaTiO3-TiO2复合氧化物薄膜首次被用作光电化学（PEC）水分解的光电极。研究采用透明甲醇溶液形式的Ti(Pro)4和新合成的钙配合物[Ca2(TFA)3(OAc)(PrOH)(H2O)(THF)3]（1）（其中TFA代表三氟乙酸根；OAc代表醋酸根；PrOH代表异丙醇）通过气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）法制备目标薄膜。这些复合电极以500-600°C的不同沉积温度负载于掺氟氧化锡（FTO）导电玻璃基底上。所得薄膜通过粉末X射线衍射、X射线光电子能谱、能量色散X射线分析和扫描电子显微镜进行了全面表征。所有复合电极的PEC响应均在AM 1.5G模拟太阳光（100 mW cm?2）照射下进行测试。结果显示，在600°C制备的CaTiO3-TiO2光阳极在0.7V（相对于Ag/AgCl/3M KCl参比电极）时表现出610 μA cm?2的光电流密度，显著高于仅沉积温度（500和550°C）不同的另外两个同类电极。

    关键词： 光电极、光电化学水分解、气溶胶辅助化学气相沉积、CaTiO3–TiO2复合材料

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 湿度在气溶胶辅助化学气相沉积法制备氧化亚铜薄膜的织构与电学性能调控中的作用

    摘要： 一项研究报告了载气（CG）湿度对低温（<365°C）下采用气溶胶辅助化学气相沉积（AA-CVD）法制备的Cu?O薄膜织构及其电子性能的影响。通过提高载气湿度，可将薄膜的择优取向从[110]调控至[111]。通过对薄膜沉积初始阶段的研究，发现干燥与湿润条件下存在不同的生长模式，进而主导了薄膜的最终织构?；舳вΦ缪阅芊治霰砻鳎何蘼鄹稍锘蚴筇跫?，载流子浓度均维持在101? cm?3量级；而采用湿润载气沉积的Cu?O样品通常具有更高迁移率（最高达17 cm2 V?1 s?1）。利用高迁移率的[111]织构Cu?O薄膜，通过在表面采用常压空间原子层沉积（AP-SALD）法沉积ZnO层制成了二极管，在-1至+1V区间展现出优异整流特性，其不对称比接近10?。

    关键词： 纹理薄膜、氧化铜、气溶胶辅助化学气相沉积、载流子迁移率、常压处理

    更新于2025-09-04 15:30:14