基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的两端太赫兹探测器

摘要： 我们报道了一种制备两端天线耦合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频太赫兹探测器的方法。通过氟离子注入提高AlGaN/GaN二维电子气的阈值电压，可获得使探测器在零栅压或栅极悬浮状态下响应度最大化的最佳注入剂量。研究获得了离子剂量与阈值电压、电子迁移率、电子浓度、响应度及等效噪声功率（NEP）之间的关系。在0.65 THz频率下，该两端探测器实现了47 W/√Hz的最小光学NEP。两端工作模式的优势在于：无需在天线阵列周围布置负栅压线路，且能最大限度降低栅极漏电流，从而便于设计大规模天线耦合高电子迁移率晶体管探测器阵列。