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oe1(光电查) - 科学论文

11 条数据
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  • 通过纳秒激光诱导玻璃上氧化铟锡薄膜周期性表面结构(LIPSS)制备的适用于严苛环境的纳米结构透明导电电极

    摘要： 利用一种名为激光诱导周期性表面结构（LIPSS）的自组织现象，在硼硅酸盐玻璃上涂覆的氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜中实现图案化。通过扫描波长532纳米的纳秒脉冲激光聚焦光束（30微米光斑直径1e?2）在ITO薄膜上移动，可制备出周期低至175纳米的条纹图案。当脉冲持续时间为6纳秒、脉冲频率介于100至200千赫兹、脉冲能量约20微焦耳、激光光斑扫描速度在50–80毫米/秒范围内时，可生成高度有序的ITO-LIPSS。所得纳米图案具有导电性，且光学透明度提升，对盐酸、硫酸甚至王水等强酸也表现出稳定性。研究认为ITO与硅之间混合相的形成，是激光图案化透明导电电极具备化学耐受性的根源。

    关键词： 激光诱导周期性表面结构（LIPSS）、激光图案化、自组织、氧化铟锡（ITO）、透明导电薄膜（TCF）

    更新于2025-10-22 19:40:53

  • 树状大分子包封铂纳米颗粒修饰的氧化铟锡作为高效对氨基苯酚氧化还原循环平台

    摘要： 本研究中，我们采用树状大分子包覆铂纳米颗粒（Pt DENs）修饰氧化铟锡（ITO），开发出高效的p-氨基苯酚（p-AP）氧化还原循环平台。通过电氧化接枝法将包覆催化性铂纳米颗粒（即Pt DENs）的树状大分子末端氨基修饰于ITO表面。与常规ITO相比，由于铂纳米颗粒的催化活性，Pt DENs修饰的ITO在低电位下即可显著增强p-AP的电化学氧化电流，且背景氧化电流极小，从而获得高信噪比以实现灵敏的p-AP氧化还原循环。该修饰ITO使p-AP氧化还原循环的灵敏度达到常规ITO的约17.8倍。此外，树状大分子具有高比表面积和多个末端官能团，其球形结构使Pt DENs修饰的ITO适合作为寡核苷酸固定平台。该修饰ITO可进一步负载单链DNA寡核苷酸（表面密度高达(2.2±0.4)×1012个分子/平方厘米），约为常规ITO表面密度的4.4倍。

    关键词： 氧化铟锡（ITO）、氨基末端树枝状大分子、对氨基苯酚（p-AP）氧化还原循环、树枝状大分子包覆纳米颗粒（DEN）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 自组装芳香族有机半导体分子改善界面效应对OLED性能的影响

    摘要： 本研究聚焦于通过自组装单分子层（SAM）技术对有机发光二极管（OLED）器件增强界面的性能表征。SAM技术常用于解决OLED中有机/无机界面结合力弱的问题。新一代SAM分子——苯基苯甲酸（PBA）、4-(9H-咔唑-9-基)苯甲酸（MZ39）和4-(2,5-二噻吩基-1H-吡咯-1-基)苯甲酸（MZ25）被涂覆于氧化铟锡（ITO）之间。制备了ITO/SAM/TPD/Al和ITO/TPD/Al两种空穴器件构型，通过空间电荷限制电流（SCLC）技术计算SAM层对空穴迁移率的贡献。对ITO/TPD/Alq3/Al和ITO/SAM/TPD/Alq3/Al构型的OLED器件进行光学表征，以观察芳香族SAM分子对亮度和量子效率的影响。特别地，SAM修饰的OLED器件最高亮度达397 cd m?2。所有含SAM层的器件性能均优于参照器件。

    关键词： 氧化铟锡（ITO）、量子效率、有机发光二极管（OLED）、亮度、空间电荷限制电流（SCLC）、自组装单分子层（SAM）

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 化学处理对ITO特性及OLED器件性能的影响

    摘要： 本研究中，对两种具有不同物理性质的氧化铟锡（ITO）表面进行了化学处理，并考察了该处理对ITO物理参数及在其上制备的有机发光二极管（OLED）效率的影响。通过X射线衍射、原子力显微镜、光学吸收和电阻测量对ITO基底进行了表征。结果表明，化学处理未显著改变Alq3发射光波长相关的结构与透光性，但改善了被测ITO的表面形貌与电阻特性。为达成研究目的，先对ITO进行表征，随后制备出玻璃/ITO/PEDOT:PSS/Alq3/Al结构的OLED器件。通过电流密度、电阻、功率及辐照度随电压变化的测试对OLED进行表征。研究发现：化学处理使其中一种OLED的启亮电压从5.5V降至4V（另一种从7V降至6V），并降低了某类ITO的电阻与功率、以及某类ITO对应的辐照度。

    关键词： 化学处理，有机发光二极管（OLED），氧化铟锡（ITO）

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 基于二茂铁自组装单分子层修饰ITO电极的人IgE电化学免疫传感器

    摘要： 血清中免疫球蛋白E（IgE）水平是过敏检测的重要指标。以二茂铁（Fc）修饰的自组装单分子层（SAMs）作为传感层置于氧化铟锡（ITO）电极上用于人IgE检测。SAMs中的Fc基团促进了电子通过有机SAMs层的传递并实现电催化信号放大。通过受体抗体、目标人IgE和酶标二抗的夹心式固定化完成电化学测量后，利用Fc的氧化还原循环对酶产物对氨基苯酚进行定量分析。此外还采用电化学阻抗谱（EIS）进行IgE检测。该电化学传感器的检测限（LOD）、定量限（LOQ）及动态范围分别为3 IU/mL、10 IU/mL和10-100 IU/mL。

    关键词： 电催化反应、氧化铟锡（ITO）、人免疫球蛋白E、电化学阻抗谱、二茂铁

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 硅层对硅异质结太阳能电池中ITO和AZO生长的影响

    摘要： 本文报道了针对硅异质结（SHJ）太阳能电池载流子选择性接触应用而设计的薄膜硅层上沉积氧化铟锡（ITO）的特性。研究发现，与沉积在氢化非晶硅薄膜（a-Si:H）上的ITO相比，沉积在氢化纳米晶硅（nc-Si:H）层上的ITO电子迁移率μe显著下降。nc-Si:H层不仅表现出比a-Si:H更高的结晶度，还具有显著增加的表面均方根粗糙度。透射电子显微镜（TEM）显示，这会促进ITO生长初期形成更小且断裂的特征结构。此外，二次离子质谱分析表明，来自薄膜硅层的氢在ITO中的渗透深度存在差异，这可能同时影响ITO和器件的钝化特性。与掺铝氧化锌（AZO）相比，我们发现AZO在nc-Si:H层上实际可能表现出更优特性。我们评估了优化器件中效率超过23%的SHJ太阳能电池内，改性ITO方阻Rsh对串联电阻Rs的影响。在设计以非晶或纳米晶层作为载流子选择性接触的太阳能电池时，应考虑这一特性。

    关键词： 二次离子质谱法（SIMS）、氧化铟锡（ITO）、串联电阻、掺铝氧化锌（AZO）、透明导电氧化物（TCO）、透射电子显微镜（TEM）、硅异质结（SHJ）

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 一种基于横向MOS电容的ITO马赫-曾德尔调制器，用于光束偏转

    摘要： 我们通过实验展示了一种异质集成于硅光子平台的氧化铟锡（ITO）马赫-曾德尔干涉仪。该移相器部分采用新型横向MOS结构实现，凭借优异的静电重叠效应达成高效调制（VπL = 63 V·μm）。这一成果通过两个途径实现：(i)选用强折射率变化材料（ITO）；(ii)优化电场重叠度（经静电场线验证）。此外，我们证实该平台可作为端射硅光子光学相控阵（OPA）的基础构件——该相控阵采用波导半波长间距设计，预期性能包括：窄主波束瓣（<3°）、旁瓣抑制>10 dB，同时能实现±80°电控发射方向调控。若进一步优化，不仅可为激光雷达系统带来纳秒级快速波束调控能力，还可应用于全息显示、自由空间光通信及光开关等领域。

    关键词： 电光调制器、氧化铟锡（ITO）、相控阵、激光雷达、马赫-曾德尔、波束转向

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 基于高温耐受云母基板的高效柔性有机发光二极管

    摘要： 由于具有卓越的耐温性、高透光率、化学稳定性和机械耐久性，白云母在柔性光电子领域展现出巨大潜力。这种柔性基底制备的溅射透明导电电极（TCEs）具有优异的薄膜质量，兼具高透光率与高导电性。本研究提出一种由铝掺杂氧化锌（AZO）和氧化铟锡（ITO）构成的复合TCE设计方案，可同步实现柔性与导电性的最优化。采用云母基复合TCE的蓝、绿、红光发射柔性有机发光二极管（FOLEDs）均表现出良好性能，其最高电致发光效率分别达到18.1%（38.7 cd/A）、18.7%（66.2 cd/A）和13.3%（22.2 cd/A）。进一步改良的绿光FOLEDs通过构建叠层结构，实现了27.9%（93.3 cd/A）的更高峰值效率与饱和绿光发射。这些成果可为未来云母基复合TCE在显示与照明用FOLEDs中的应用研究提供重要参考。

    关键词： 有机发光二极管（OLED）、柔性、串联、氧化铟锡（ITO）、白云母、铝掺杂氧化锌（AZO）

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 无金属光控制备氟化抗污膜

    摘要： 我们报道了一种新型光控合成路线，用于制备含氟薄膜以保护氧化铟锡（ITO）及其衍生物（如氟掺杂氧化锡（FTO）镀膜玻璃）免受氧化。通过紫外光源成功采用了一种成本较低、无色/无金属的有机吩噻嗪类光催化剂进行原子转移自由基聚合（ATRP）来改性基底。该氟薄膜与水的接触角（CA）为105.1°，前进角为112.2°，后退角为84.6°，表现出疏水特性并具有自清洁和防污性能。我们的氟化导电玻璃在可见光波长范围内的光学透过率高达80-90%。这项工作展示了其在电子设备防污方面的巨大价值，可?；ど璞该馐芑饣肪持械幕廴疽约案呶潞突质吹挠跋?。

    关键词： 原子转移自由基聚合（ATRP）、氧化铟锡（ITO）、光控、聚合物刷、氟掺杂氧化锡（FTO）

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 基于[3,3′-钴(1,2-C2B9H11)2]掺杂聚吡咯的纳米结构ITO电极新型透明pH传感器

    摘要： 本研究提出了一种基于氧化铟锡（ITO）涂覆双(二碳硼烷)钴掺杂聚吡咯（PPy）的新型透明纳米结构离子敏感电极。该金属碳硼烷掺杂聚吡咯因其高稳定性和耐化学性被用作导电聚合物。该离子敏感电极与微型低成本恒电位仪耦合，最终形成用于pH电位测定的自主检测套件。系统定性校准显示出能斯特响应，为新型即时生物医学应用展现出良好前景。

    关键词： 氧化铟锡（ITO）、本征导电聚合物（ICP）、聚吡咯（PPy）、pH传感器、电位法、电位传感器、硼化合物、纳米科学、金属碳硼烷

    更新于2025-09-10 09:29:36