通过氨分子束外延实现氮化镓薄膜的高锗掺杂

摘要： 采用氨分子束外延法生长掺锗（Ge）氮化镓（GaN）的研究表明：通过改变GaN生长速率、衬底温度及锗元素通量，揭示了多种掺杂依赖关系。锗掺杂浓度随通量增加而提升（符合预期），并轻松实现了约101? cm?3至102? cm?3的掺杂范围。研究发现衬底温度对薄膜电学性能具有显著影响，最佳生长温度为740°C（低于氨分子束外延法常规GaN生长条件）。与其他技术观察结果类似，推测较高生长温度下存在补偿效应。电学与光学测量显示最高掺杂浓度时存在晶体缺陷，但此类高掺杂薄膜的薄层对器件接触层和隧道结具有重要应用价值。