扫描透射电子显微镜（S/TEM）方法对提升硅基InGaN薄膜制备及平面硅与粗糙InGaN衬底上InN纳米结构生长的贡献

摘要： 通过透射电子显微镜和扫描透射电子显微镜((S)TEM)的完整研究主要结果如下：(i)涵盖合金全组分范围的InGaN/Si(111)异质结构；(ii)直接生长在硅晶圆或相对粗糙的InGaN/Si(111)模板上的InN量子点(InN QDs)。综合运用多种(S)TEM技术可评估研究体系的不同特性：(InN QD/)InGaN/Si与InN QD/Si界面及晶体质量、结构与化学缺陷等关键特征。InxGa1-xN薄膜通常呈现单晶特性，组分高度均匀，且绝大多数为纤锌矿结构（各x值下均显著）。(S)TEM技术还揭示InN纳米结构多为六方单晶，多数与支撑衬底晶格呈外延生长关系。当InN晶体位于富In的InxGa1-xN（即x>0.7）上时，还表现出部分立方排列特征。