2016年欧洲显微镜学大会：会议录 || 基于有序InGaN纳米柱发光二极管的分析电子显微镜表征

摘要： 由InGaN/GaN盘状结构自组装形成的纳米柱（NCs）为传统平面发光二极管（LED）器件提供了替代方案[1]。然而，单个纳米LED间电学特性的显著离散性制约了其效率与可靠性。由于InGaN合金固有的成分波动倾向会随生长晶面极性变化而产生不均匀分布，导致其呈现多色发光现象[2]。近期分子束外延技术实现的纳米柱选择性区域生长，已能制备出具有更高结晶质量且铟分布可控性更强的高度均匀GaN/InGaN纳米柱[3]。本研究展示了基于有序InGaN活性盘状结构纳米柱LED的表征结果（图1）。通过校正像差的JEOL-JEM-ARM200扫描透射电子显微镜（STEM）进行纳米结构精细表征：原子级分辨的高角环形暗场（HAADF）图像分析证实了纳米柱的高结晶质量；能谱（EDS）元素面扫描揭示了InGaN盘内铟分布；环形明?。ˋBF）图像中氮原子柱定位则追踪了半导体纳米柱的极性（图2）。利用FEI STEM Tecnai F20低温阴极荧光（CL）光谱技术，实现了纳米尺度上光学特性与结构特性的直接关联[4]。