同轴半极性InGaN/GaN微线阵列发光二极管，其效率下降得到显著抑制

摘要： 基于氮化镓（GaN）纳米/微米结构发光二极管（LED）因其显示与光电子集成领域的潜在应用而备受关注。本研究制备了同轴半极性InGaN/GaN多量子阱（MQWs）微米线阵列LED，在抑制效率衰减方面展现出卓越性能。结果表明，所合成微米线具有两个半极性晶面（101），且InGaN/GaN多量子阱具有优异的晶体质量。当注入电流从3增至100 A/cm2时，该器件效率衰减率仅约9.7%，较传统极性c面LED大幅降低47%。同时微米线阵列LED在注入电流从3增至23 A/cm2时波长偏移量仅为3nm。这些性能提升主要归因于半极性面上InGaN/GaN多量子阱的量子限制斯塔克效应较弱。本研究提出了一种高重复性的微米线阵列LED制备方法，为未来光电子集成系统提供了技术支撑。