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独立式GaN p-n功率二极管超高电流注入的不同隔离工艺
摘要： 本文报道了在自支撑（FS）GaN衬底上生长的高性能功率p-n二极管的制备工艺。提升高击穿电压并抑制表面漏电流的关键技术是隔离工艺。台面结构二极管通常采用感应耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）形成，但该工艺总会引发严重表面损伤，导致高漏电流。本研究通过氧离子注入构建隔离区，提出平面结构方案。经关键工艺处理后，所制台面型与平面型二极管分别呈现3.5V和3.7V的开启电压、0.42mΩ·cm2和0.46mΩ·cm2的比导通电阻（RONA）、以及2640V和2880V的击穿电压（VB）。对应巴利加优值（BFOM，即VB2/RONA）分别为16.6GW/cm2和18GW/cm2，其中18GW/cm2为自支撑GaN二极管迄今报道的最高值。温度特性测试表明，平面型二极管较台面型具有更优的漏电流与热稳定性。
关键词： 漏电流、巴利加优值、击穿电压、平面二极管、注入工艺、氮化镓衬底
更新于2025-09-23 15:22:29
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界面和电流扩展对kA/cm2级电流注入下微LED热传输的影响
摘要： 采用正向电压法、热瞬态测量和红外成像技术，研究了氮化镓（GaN）与蓝宝石衬底上微发光二极管（mLEDs）的三维热特性。在4 kA cm?2电流注入水平下，GaN衬底上的mLEDs结温比蓝宝石衬底低约10°C，且K因子幅值更小。热瞬态测量表明：由于高质量GaN晶体及界面结构，GaN衬底mLEDs的台面热阻、GaN外延层热阻以及GaN/衬底界面热阻均显著降低。红外热像显示GaN衬底mLEDs具有更低的总平均结温和更均匀的温度分布，该结果通过APSYS软件模拟得到验证。研究还探讨了mLEDs中横向与纵向的热传输机制。
关键词： 蓝宝石衬底、微型发光二极管、氮化镓衬底、结温、热传输、红外成像、APSYS模拟
更新于2025-09-11 14:15:04