具有低退火温度下高迁移率的双有源层InZnO:N/InZnSnO薄膜晶体管

摘要： 本文成功制备了具有InZnO:N/InZnSnO（IZO:N/IZTO）双有源层的底栅顶接触薄膜晶体管（TFT）。通过射频磁控溅射法在室温下将IZO:N/IZTO薄膜沉积于SiO2/p-Si衬底上。在可见光范围内，IZO:N薄膜与IZTO薄膜的透光率均超过80%。X射线衍射（XRD）分析表明，在325°C退火温度下，IZO:N薄膜与IZTO薄膜均呈非晶态。该双有源层IZO:N/IZTO TFT展现出优异的电学性能：饱和迁移率达41.5 cm2 V?1 s?1，开关电流比达2.88×10?，阈值电压为1.0 V，实现了在325°C低退火温度下的高迁移率特性。