退火处理对透明导电水合镁碳薄膜的影响

摘要： 透明电子技术有许多亟待应用的 光电器件领域。传统半导体中等离子体材料的关键组分是具有宽禁带的氧化物薄膜。虽然目前已开发出适用于可见光及近红外波段的透明电子材料，但整合中红外与远红外光谱的系统仍难以实现。本研究采用三步法制备出一种新型非氧化物透明导电薄膜——具有氢氧化镁结构的 水合镁碳薄膜。经退火处理后，薄膜中较大晶粒通常表现出更优异的电阻率特性，其电导率值约为8.63×10?3 Ω·m。由于自由电子浓度不超过102? cm?3，该薄膜展现出卓越的光学性能，在红外波段透射率超过70%时，等离子体波长值约为8毫米。退火处理后，受Moss-Burstein（M-B）效应影响，可见光透射率大于85%，且光学带隙向蓝光区域移动。此外，本文还探讨了碳靶溅射功率对水合镁碳薄膜性能的影响。