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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 在图案化p-GaN外延层上水热生长n-ZnO薄膜及其在异质结发光二极管中的应用

    摘要： 研究表明，在具有蜂窝状蚀刻孔阵列的非图形化与图形化p-GaN外延层上均可实现晶体n-ZnO薄膜的热液生长(HTG)，并报道了其在n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管(HJ-LED)中的应用。结果显示，图形化p-GaN层上的HTG n-ZnO薄膜呈现高质量单晶特性，其ω摇摆曲线和φ扫描图案的半高宽(FWHM)分别为0.463°和0.983°，显著优于非图形化p-GaN层上的生长结果。此外，由于n-ZnO薄膜结晶质量更高且与p-GaN层界面改善，n-ZnO/图形化p-GaN异质结二极管展现出更优异的整流特性。分析表明该器件在405、412和430 nm波长处发射出强烈的紫光及紫蓝光。

    关键词： 结晶质量，n型氧化锌薄膜，异质结发光二极管，水热生长法，p型氮化镓外延层

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 插入穹顶形微结构以增强n-ZnO纳米棒/p-Si异质结紫外光电探测器性能

    摘要： 通过结合水热法和等离子体增强化学气相沉积技术，制备并表征了一种具有穹顶状微结构架构的二氧化硅-氧化锌（SZO）混合中间层。研究结果表明，200℃是形成穹顶状架构SZO层的最佳沉积温度，该层在紫外波段可作为减反射层，并作为生长氧化锌纳米棒（NRs）阵列的缓冲层。因此，在2.0V反向偏压下，采用穹顶状SZO层的p-Si/n-ZnO NRs光电二极管在紫外波段的明暗电流比相比可见光照射条件下提升了近三个数量级。

    关键词： 氧化锌纳米棒，水热生长法，等离子体增强化学气相沉积，光电二极管

    更新于2025-09-16 10:30:52