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多晶TiO2基底上TiO2飞溅层的异取向外延生长
摘要： 本研究探讨了二氧化钛（TiO?）基底晶粒尺寸与取向对TiO?熔滴外延生长的影响。值得注意的是，熔滴呈现与基底相当的晶粒尺寸，表明晶粒尺寸具有遗传特性。此外，在沉积温度低于400°C和高于500°C时分别观察到异质与同质外延生长。在低沉积温度（≤400°C）下还观察到高能(001)面的择优生长，这源于热喷涂沉积过程中的动态非平衡效应。此外，热喷涂沉积为制备TiO?晶体高能(001)晶面开辟了新途径。
关键词： 异取向外延生长、择优生长、晶体形貌、同取向外延生长、沉积温度、遗传特性
更新于2025-09-23 15:22:29
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埃级厚氧化锌钝化层提升二氧化钛纳米线光阳极光电化学水分解性能：沉积温度的作用
摘要： 本文证明，埃级厚度的单原子层沉积（ALD）ZnO钝化能显著提升水热法生长的TiO?纳米线（NWs）的光电化学（PEC）活性。研究发现，这种超薄ZnO涂层可在不影响载流子转移动力学的前提下钝化TiO?表面缺陷态。此外，通过改变ZnO层的沉积温度（80°C和250°C），分别制备出80°C TiO?-ZnO和250°C TiO?-ZnO样品，发现低温沉积单层ZnO比高温沉积具有更高的PEC活性。PEC表征证实：在80°C下沉积单层ZnO可使裸TiO?纳米线的光转换效率提升1.5倍。值得注意的是，由于该涂层属于钝化层而非连续壳层，在保持PEC稳定性的同时（此特性是厚壳层结构无法实现的），本文提出了一种自下而上的异质结电子转移动力学调控方法，该方法可推广至其他金属氧化物组合体系。
关键词： 沉积温度，原子层沉积，光电化学水分解，氧化锌钝化，二氧化钛纳米线
更新于2025-09-23 15:21:01
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研究沉积温度和氮含量对直流磁控溅射法制备的氮掺杂二氧化锡薄膜结构、光学及电学性能的影响
摘要： 本报告重点研究与详细调查p型氮掺杂二氧化锡(NTO)的结构、电学及光学特性与沉积温度和氮含量的关系。采用直流磁控溅射法在石英玻璃基底上制备了p型透明导电NTO薄膜。通过X射线光电子能谱等测量手段验证了氮原子在SnO2主晶格中对氧的取代。利用光致发光和紫外-可见光谱测量确定了N3?缺陷态在带隙中的位置。(110)至(101)金红石晶面数据的变化，以及金红石(101晶面)向立方相(111晶面)的SnO2相变表明氮原子已取代SnO2主晶格中的氧。在最佳基底温度300°C、氩气与50%氮气混合气体中沉积的薄膜，其电阻率、空穴浓度和空穴迁移率分别达到8×10?2 Ω·cm、1.36×1019 cm?3和6.75 cm2·V?1·s?1，展现出最优的p型导电性能。
关键词： 沉积温度、氮含量、p型N掺杂SnO2薄膜、X射线光电子能谱、直流磁控溅射、X射线衍射
更新于2025-09-23 07:01:32
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基于大气激光化学气相沉积的硬质合金上金刚石沉积中甲烷浓度与沉积温度的相互作用
摘要： 在大气压下对硬质合金进行激光诱导等离子体化学气相沉积（CVD）金刚石涂层时（无需真空腔室），必须理解沉积温度与甲烷浓度之间的相互作用，以调节涂层厚度、沉积时长及中等尺寸金刚石晶粒。本研究假设：由于沉积温度升高会提升刻蚀与沉积速率，可采用更广范围的甲烷浓度来沉积微晶金刚石涂层。实验在K10硬质合金基体上进行CVD金刚石涂层沉积，工艺温度与甲烷浓度分别控制在650-1100°C和0.15%-5.0%范围内。通过扫描电镜、三维激光共聚焦显微镜、能谱X射线分析、显微拉曼光谱及冷冻断裂显微分析对涂层进行表征。结果表明：提高工艺温度可在更广的甲烷浓度范围内实现微晶金刚石涂层沉积。尽管甲烷浓度持续增加，涂层厚度仍会随工艺温度达到饱和。当沉积温度升至1100°C时，钴扩散会阻碍沉积过程，此时涂层厚度随沉积温度升高而持续增加直至该临界点。
关键词： 金刚石薄膜、化学气相沉积、硬质金属、甲烷比例、沉积温度
更新于2025-09-19 17:13:59
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可见光增强型PbI2/MgO/Si异质结光电探测器制备
摘要： 采用脉冲激光沉积法制备(2.7-2.5)eV能隙范围内的p型PbI2/MgO/n-Si光电探测器，研究了PbI2/MgO/Si器件的电流-电压与电容-电压特性。通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱和扫描电镜(SEM)测试发现，该探测器最佳响应度达~0.88A/W（410nm波长，沉积温度Ts=45°C）。XRD结果表明不同沉积温度下制备的MgO呈沿(200)晶面的立方单晶结构，首次实现了PLD法在不同Ts下的制备；纳米结构MgO与PbI2/MgO薄膜的结构、光学及形貌特性显示：MgO沉积面为(200)晶面，而MgO衬底上生长的PbI2薄膜为沿(001)晶面的六方相单晶。MgO薄膜（室温带隙7.3eV）具有无毒、高比表面积反应活性、Fm-3m空间群立方晶体结构及可见光透明特性，已广泛应用于钙钛矿太阳能电池、光电探测器、X射线探测器、光导体、生物标记诊断、有源矩阵平板成像仪及γ射线探测器[1-4]。PbI2薄膜常用热蒸发、化学法、脉冲激光沉积、原子层沉积和电子束蒸发制备[5-8]，其六方结构在室温下光学带隙约2.2eV，已用于发光二极管等多种器件[关键词]：PbI2；MgO；PLD；异质结；硅；光电探测器；沉积温度
关键词： 硅、光电探测器、氧化镁、沉积温度、碘化铅、异质结、脉冲激光沉积
更新于2025-09-11 14:15:04