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[IEEE ESSDERC 2018 - 第48届欧洲固态器件研究会议（ESSDERC） - 德国德累斯顿（2018年9月3日-2018年9月6日）] 2018年第48届欧洲固态器件研究会议（ESSDERC） - 评估自组装单分子层栅介质对MoS2场效应晶体管迁移率影响的门控四探针法
摘要： 本研究报道了通过基于自组装单分子层（SAM）的栅极介电质对二硫化钼（MoS2）场效应晶体管（FETs）沟道迁移率进行界面工程调控的方法。采用四探针栅控技术消除了接触电阻对沟道迁移率的影响。SAM的形成对提升MoS2 FETs沟道迁移率具有关键作用——由于MoS2/SAM结构能实现优异的界面特性，其沟道迁移率最高可达19 cm2/Vs。该研究为二维材料基薄膜器件的应用与开发开辟了界面工程这一重要研究方向。
关键词： 场效应晶体管、界面特性、沟道迁移率、自组装单分子层、二硫化钼
更新于2025-09-23 15:21:01
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用于增强4H-SiC(0001)硅面反型沟道迁移率并抑制V<sub>fb</sub>不稳定的低温湿氧退火工艺
摘要： 为提升4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管性能，本研究系统考察了干法氧化后湿法环境中的退火工艺（POA）。通过调节湿法POA条件，我们证实低温湿法退火更有利于同时增强沟道迁移率并抑制平带电压不稳定性。沟道迁移率提升的机制之一归因于MOS界面附近氧化物中陷阱密度的降低，而非传统界面陷阱。基于4H-SiC上的氧化物生长动力学，我们还讨论了湿法环境对界面特性的影响。
关键词： 沟道迁移率、平带电压不稳定性、MOSFET、4H-SiC、湿氧退火
更新于2025-09-10 09:29:36