温度控制下的断裂与熟化：从超薄硒化锌纳米线出发合成具有可变尺寸和晶体结构的硒化锌纳米棒

摘要： 无重金属半导体纳米材料因其基础研究和商业应用的重要性而备受关注。特别是一维（1D）半导体中的偏振荧光发射特性，使其成为极具吸引力的显示材料。本研究开发了一种新型胶体合成方法，通过"温度控制断裂与熟化"工艺制备尺寸和晶体结构可控的1D ZnSe纳米结构。首先合成了长度50-200纳米、直径约1.1纳米的超薄ZnSe纳米线（NWs），随后通过控制断裂步骤保持相同直径获得ZnSe纳米棒（NRs），并通过调节加热程序将最终ZnSe NRs的长度控制在10-20纳米范围。采用更高温度断裂可使ZnSe NWs分解为更短的ZnSe NRs，而在后续熟化阶段控制ZnSe NRs的最终生长温度（220°C获得立方闪锌矿ZB结构，240°C获得六方纤锌矿WZ结构），实现了晶体结构的选择性调控。这种从自下而上到自上而下生长模式的转换机制，可精确控制ZnSe NRs的长度并选择最终晶体结构（六方WZ或立方ZB），为合成一维半导体纳米结构提供了新型生长机理。