通过快重离子辐照产生的潜径迹改性的MoSe?场效应晶体管中的电子输运

摘要： 过渡金属二硫化物（TMDCs）具有可调带隙和超薄体厚度等独特特性，使其成为光电子、气体传感和储能器件应用的潜在候选材料。本工作采用1.8 GeV钽离子（离子注量范围1×10?-6×101? ions cm?2）在MoSe?中引入非晶缺陷区（潜径迹），研究辐照后TMDC沟道场效应晶体管（FETs）的电子输运行为?？熘乩胱臃沼盏嫉牟牧先毕荻云骷τ镁哂兄匾跋臁＝峁砻鳎核孀爬胱幼⒘吭黾?，载流子迁移率下降而器件电阻急剧上升。我们详细分析了潜径迹对TMDC沟道FETs电子输运行为的影响机制，推定电子布洛赫波会受到SHI辐照诱导潜径迹的强局域化作用，同时也会发生散射。本研究有助于探究潜径迹对其他二维材料电子输运的影响。