修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

26 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 基于田口方法优化静电纺丝-水热复合工艺以调控ZnO微/纳米阵列点缺陷实现光电应用

    摘要： 与以往通常采用高温退火（≥500℃）来抑制水热生长ZnO缺陷的研究不同，本研究通过田口方法和方差分析（ANOVA）优化低温电纺-水热复合工艺（≤300℃）的整体工艺参数来抑制ZnO缺陷。提出以室温光致发光（PL）光谱中缺陷峰与本征峰的强度总和比（SRDE）评估27组实验（L27(3^8)）中的缺陷状况。在最优工艺条件下，低温（200℃）即实现了良好晶体质量（SRDE=0.31），其SRDE较初始值降低68.04%。随后通过验证实验确认所选参数水平，信噪比（SNR）结果与预测值高度吻合。此外，采用最优工艺制备的ZnO光电探测器响应时间和恢复时间较初始样品分别缩短72.5%和79.3%。该方法亦可推广至制备具有其他特定缺陷特征的ZnO材料。

    关键词： 点缺陷、光电探测器、ZnO微/纳米阵列、电纺-水热复合工艺、田口方法

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 锗注入硅经干法氧化后的富锗外延硅层

    摘要： 我们采用CMOS标准工艺流程制备了SixGe1-x外延层。Ge掺杂剂在Si与SiO2中固溶度的竞争过程是实现氧化物-Si界面处原子级陡峭、低缺陷超薄外延层的关键。通过调控氧化时间来控制掺杂Ge离子在Si/氧化物界面及氧化物层中的分布。将注入样品（35 keV、1×1016 Ge+/cm2）在1050°C下氧化30-90分钟，RBS沟道分析显示氧化后Ge存在两个对应不同深度的独立峰。结合高分辨显微分析与元素成分测定，确定首峰为SiO2/Si界面处富集的SixGe1-x层——该小于10纳米的外延生长界面层缺陷极少，且Ge离子完全替代了基质晶格位置。次峰源自Ge向SiO2的扩散，形成含Ge的氧化物薄膜偏析层。本研究针对CMOS应用中通过标准工艺路线构建SixGe1-x层的技术需求展开探讨。

    关键词： 高分辨电子显微镜、点缺陷、锗硅合金、离子注入、固相外延

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 点缺陷和缺陷梯度在钙钛矿氧化物闪烧中的作用

    摘要： 本研究探讨了点缺陷及其重分布对闪烧过程的影响。以钛酸锶作为钙钛矿陶瓷体系的模型材料，分析了不同受主掺杂浓度下钛酸锶的闪烧特性。研究发现，如预期的导电性增强现象所示，闪烧起始点与受主掺杂浓度相关。闪烧后观察到微观结构梯度，负极区域晶粒尺寸更大。透射电镜-能谱分析表明：未掺杂钛酸锶在正极出现钛富集，而掺杂样品则呈现明显的受主偏聚；相比之下，未掺杂样品的负极晶界保持化学计量比，掺杂样品的受主偏聚现象较弱?；谡庑┙峁皖阉犸鹊目占涞绾尚形?，我们推断闪烧过程中电场会诱导氧空位浓度梯度——正极氧空位浓度高于负极。已知钛酸锶中高氧空位浓度会降低空间电荷效应，从而减弱受主偏聚，这与实验发现高度吻合。总体而言，本研究揭示了点缺陷梯度和空间电荷对钛酸锶闪烧过程的重要影响，该结论可能适用于其他多种功能陶瓷。

    关键词： 闪烧，空间电荷，非化学计量比，钛酸锶，点缺陷

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • GaAs/AlAs超晶格中点缺陷的第一性原理研究：相稳定性及其对能带结构和载流子迁移率的影响

    摘要： 先进的半导体超晶格在未来航空航天、高能物理、引力波探测、天文及核相关等关键高科技领域具有重要应用价值。在强辐射等极端环境下，这类半导体超晶格易产生多种缺陷并最终导致器件失效。然而对于GaAs/AlAs超晶格而言，点缺陷的相稳定性及其对器件性能的影响至今尚未明确。当前计算表明：在GaAs/AlAs超晶格中，反位缺陷的能量形成势垒低于空位和间隙缺陷；AsX（X=Al或Ga）与XAs缺陷总会引发超晶格金属化，而GaAl和AlGa反位缺陷对电子结构影响较??；含间隙或缺陷的GaAs/AlAs超晶格会出现显著带隙缩减或金属化现象。进一步计算显示，间隙与空位缺陷会大幅降低电子迁移率，反位缺陷影响相对较小。这些成果深化了对GaAs/AlAs超晶格辐射损伤效应的认知，为设计极端环境用高稳定耐久型半导体超晶格电子/光电子器件提供了理论指导。

    关键词： 点缺陷、电学性质、GaAs/AlAs超晶格、杂化密度泛函理论

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • Ho掺杂BaTiO3陶瓷在自补偿模式下的异常居里温度偏移

    摘要： 采用混合氧化物法在1400°C下制备了名义组成为(Ba1?xHox)(Ti1?xHox)O3的陶瓷材料（BHTH）。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、光致发光（PL）光谱、电子顺磁共振（EPR）和介电性能测试，研究了BHTH的结构、微观结构、介电性能及点缺陷。研究发现BaTiO3中的Ho3+倾向于以轻微占据Ba位点的自补偿模式存在，XRD测定细晶粒BHTH（0.5μm）中Ho3+的溶解度极限为x=0.03。观测到异常现象：当x从0.01增至0.03时，BHTH的居里温度从128°C向高温方向偏移至131°C。推断当BaTiO3同时掺杂Ho3+与其他类型离子时，Ho3+可能成为实现X8R特性的潜在共掺杂剂。

    关键词： 自补偿模式，点缺陷，掺钬钛酸钡，居里温度，电介质

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 相关材料

    摘要： 通过阴极发光（CL）成像测量和光致发光（PL）光谱研究了AlN及AlxGa1?xN相关结构中的主要复合路径。CL强度图中由穿透位错（TDs）非辐射复合产生的暗斑对比度随温度升高显著减弱——这是因为载流子在低温（9-60 K）下能到达TDs，但在室温附近即使靠近TDs也会被点缺陷（PDs）捕获。基于实验结果的计算表明：当前AlN及富Al的AlxGa1?xN晶体中，只要TD密度低于2.6×1010 cm?2，TDs在室温下几乎不影响内量子效率（IQE）。由于蓝宝石衬底上异质外延生长的AlN薄膜已实现TD密度低于2.6×1010 cm?2，显然进一步提升AlxGa1?xN相关材料IQE最有效的方法是减少PDs而非TDs。此外，通过变温PL测量明确了两种主要降低发光效率的PD态类型。结合CL与PL结果可评估这些PDs和TDs的激活能。研究还指出：室温下主要作为非辐射复合中心的PDs很可能是由Al空位与氧杂质形成的复合体，它们会增强近室温下3.2 eV和3.5-3.7 eV的深能级发射。PDs对效率退化的显著影响可能源于AlN及富Al的AlxGa1?xN中Al空位相关PDs的形成能较小，导致其密度远高于GaN中Ga空位相关PDs的密度。

    关键词： AlxGa1?xN（氮化铝镓）、阴极发光、内量子效率、点缺陷、光致发光、非辐射复合、AlN（氮化铝）、螺位错

    更新于2025-09-04 15:30:14