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通过热处理和退火提高GeSe超薄片的荧光效率：实验与第一性原理分子动力学模拟
摘要： 报道了不同温度（100°C至250°C）热处理与退火对GeSe超薄片层光致发光光谱的影响。经200°C热处理与退火后，发现GeSe超薄片层中A激子与B激子的光致发光强度增至未处理时的两倍，而C激子光致发光强度提升约84%。结合实验工作与理论模拟，本研究证实热处理与退火在降低表面粗糙度、消除硒空位以形成更致密平滑区域方面具有显著作用。研究结果表明，热处理后GeSe表面质量的改善是光致发光增强的重要因素。
关键词： 退火、超薄晶片、第一性原理分子动力学、GeSe、光致发光、热处理
更新于2025-09-10 09:29:36
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紫外光子辐照及后续热处理对溶液法制备的非晶铟镓锌氧薄膜的影响
摘要： 通过X射线光电子能谱（XPS）和光致发光（PL）光谱研究了紫外（UV）光子辐射与热处理对溶液法制备的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜的影响。结果表明：经7.21 eV光子辐射后，在250或300℃烧结的薄膜中氧空位明显增多，而后续在空气中250℃热处理会使氧空位减少。采用该IGZO薄膜制备的薄膜晶体管漏电流变化趋势与氧空位丰度相反——即UV辐照使漏电流减小，后续热处理又使其恢复初始高值。这说明氧空位充当了电子的俘获中心或散射中心。此外，漏电流随UV辐照与热处理循环的可逆变化，为IGZO薄膜作为紫外传感器应用提供了可能。
关键词： 氧空位、非晶铟镓锌氧化物、薄膜晶体管、紫外辐照、热处理
更新于2025-09-10 09:29:36
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硅光伏板的使用寿命终结：一种可持续的材料回收工艺
摘要： 本文介绍并讨论了基于先进生态可持续工艺的退役光伏组件管理方法。研究通过热解法去除c-Si光伏组件中的聚合物化合物，以分离回收硅、银、铜、铝和玻璃。采用两步热处理工艺：第一步在不排放危险氟化物的情况下移除背面聚合物层；第二步以低挥发性有机物(VOCs)排放量彻底清除残留聚合物。在燃烧当量比U为0.5-2、温度500°C条件下研究了聚合物降解过程。通过确定最佳操作参数（温度、时间、气氛和气体流量），从环保角度评估材料回收效果，并通过能耗优化实现回收效率提升。实验证明，1小时热处理配合弱氧化气氛即可实现组件各组分的分离回收。测定了光伏样品与冷凝有机残留物的元素组成，气相降解产物通过气相色谱分析(GC)进行表征。
关键词： 回收、光伏组件、热处理、聚合物去除、能耗
更新于2025-09-09 09:28:46
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玻璃衬底上溅射沉积V?O?薄膜的可重复金属-绝缘体转变特性研究
摘要： 三氧化二钒（V2O3）在约150K附近的金属-绝缘体转变过程中展现出显著的性质变化，是极具应用前景的器件材料。通过反应直流磁控溅射法在SiO2玻璃基底上制备了V2O3薄膜。虽然实验证实其电阻率变化达四个数量级，但在标称相同条件下沉积的薄膜表现出显著的电学特性差异，这将阻碍适用于工业规模生产（配备标准控制功能）的沉积技术的可重复性。这些差异归因于微小的化学计量比偏离。采用与V2O3平衡温度及氧压条件匹配的沉积后热处理工艺，在较短时间内成功使样品特性趋于一致，且未对玻璃基底或薄膜连续性造成负面影响。通过对热处理前后薄膜结构、形貌及室温至金属-绝缘体转变区间的电阻率分析，揭示了非化学计量比、残余应力与薄膜电学特性之间的相互作用机制。该方法可获得可重复的V2O3薄膜制备结果，同样适用于具有金属-绝缘体转变特性的类似材料。
关键词： 化学计量学、溅射、薄膜、三氧化二钒、热处理、金属-绝缘体转变
更新于2025-09-09 09:28:46
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吸附水在TiO?颗粒中对电流变效应的作用
摘要： 通过丁醇钛水解制备的TiO?颗?？晌骄哂胁煌侥艿乃肿?。由该TiO?颗粒组成的电流变(ER)流体即使在75°C热处理后，在25°C下仍表现为极性分子巨电流变(GER)流体。经125°C和175°C热处理后，低吸附能水分子被去除，该ER流体在25°C下表现为传统ER流体。然而在175°C时，经175°C处理的ER流体在外加电场超过2 kV/mm时会呈现极性分子GER流体特性。这些结果表明：低吸附能水分子作为产生GER效应的极性分子发挥作用，而在热能辅助下，高吸附能水分子可转化为类似低吸附能水分子的作用，从而产生GER效应。
关键词： 二氧化钛颗粒、电流变效应、极性分子电流变液、吸附水、热处理
更新于2025-09-09 09:28:46
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??衍生物的物理气相沉积薄膜：超分子排列与热稳定性
摘要： 超分子排列分析对于理解这一关键因素对有机薄膜光学和电学性能的影响至关重要。本研究采用物理气相沉积（PVD）技术（热蒸发法）制备了双(苯乙基酰亚胺)苝（PhPTCD）固态薄膜，并根据表征技术需求同步沉积于不同基底（银镜、锗片和石英板）。主要目标是研究PhPTCD的PVD薄膜中超分子排列方式及其热稳定性。紫外-可见吸收光谱显示PVD薄膜具有可控生长特性，显微拉曼散射数据表明实验条件下PhPTCD分子未发生热降解。显微镜观测显示PVD薄膜在宏观和微观尺度均呈现均匀形貌表面，同时存在纳米级分子聚集体。此外，PVD薄膜粗糙度与基底粗糙度无关联性。X射线衍射结果表明PhPTCD粉末呈晶态结构，而PVD薄膜为非晶形态。红外吸收光谱显示PVD薄膜中分子倾向于形成平面朝上的排列方式。退火处理（200℃持续20分钟）未改变PhPTCD PVD薄膜的超分子排列结构。
关键词： ??，PVD纳米结构薄膜，热处理，超分子排列
更新于2025-09-09 09:28:46
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Wells-Dawson型多金属氧酸盐薄膜在金属、半导体和介电基底上的多电子还原反应
摘要： 研究多金属氧酸盐（POM）薄膜在固体基底上实现多电子还原与再氧化的条件，对于其成功应用于电子器件、各类传感器及催化系统具有关键意义。本文考察了Wells-Dawson型铵盐薄膜——即(NH4)6P2Mo18O62和(NH4)6P2W18O62在金属（Al）、半导体（ITO）和介电（SiO2）基底表面于环境条件下的丰富多电子氧化还原化学行为，并以相应的Keggin型杂多酸H3PMo12O40和H3PW12O40作为对比研究对象。在Al基底上，Wells-Dawson铵盐的还原程度（4-6e?）显著高于对应Keggin杂多酸（≤2e?），这与其更低的最低未占分子轨道（LUMO）能级相符。后续空气热处理会导致初始高度还原的POM薄膜发生再氧化。ITO基底呈现类似现象，但初始还原程度较低（2-4e?）。而在SiO2基底上，观察到(NH4)6P2Mo18O62薄膜的热还原现象，这归因于[P2Mo18O62]6?阴离子对铵反离子的热氧化作用。总体而言，Wells-Dawson铵盐在金属与半导体基底（Al、ITO）上的多电子还原行为，由POM的LUMO能级相对于基底费米能级（即基底功函数）的相对位置决定，并受铵反离子存在的协同影响；相比之下，在介电基底（SiO2）上，Wells-Dawson POMs((NH4)6P2Mo18O62)的还原仅源于铵反离子的氧化作用。
关键词： 多金属氧酸盐、半导体基底、铵反离子、Wells-Dawson型铵盐、氧化还原化学、Keggin型杂多酸、金属基底、介电基底、热处理、多电子还原
更新于2025-09-04 15:30:14