基于4H-SiC肖特基二极管的极端温度传感器高温工作极限评估

摘要： 我们基于肖特基二极管（SD）建立了用于计算二极管温度传感器（DTS）参数的简化理论模型。所考虑的二极管的电流流动机制以过势垒热电子发射为主导。确立了此类DTS的基本电物理参数之间的定性关联，推导出了DTS极限高温参数的表达式。通过采用镍/碳化硅（4H型）肖特基接触的DTS测试样品验证了理论结果。研究表明，该类DTS的物理高温工作极限（>1250K）超过了基于硅、砷化镓、铝镓砷p-n结的商业DTS，且基于SD的DTS本身展现出显著更低的能耗。