含亚氧化碲的一维光子晶体的热致暗化

摘要： 本研究的目的是通过实验和理论方法评估退火工艺前后含缺陷层一维光子晶体（PC）的光学特性。采用高折射率材料（TeOx）与低折射率材料（SiO2）的溅射技术制备了含缺陷层的一维光子晶体。通过X射线光电子能谱（XPS）、能量色散X射线光谱（EDX）和X射线衍射（XRD）对单层TeOx薄膜进行了化学与结构分析，并基于紫外-可见-近红外分光光度计（UV-VIS-NIR）测量的透射光谱，采用包络法确定了单层光学常数。将退火工艺前后实测的一维光子晶体反射光谱与传输矩阵法（TMM）模拟结果进行对比，在目标近红外（NIR）波段出现了光子带隙（PBG）。在波长范围1235–1723纳米（Δλ=488纳米）的PBG内，观测到位于1455纳米处的缺陷模。由于热致光学特性变化引发的热暗化效应，整体反射光谱向长波方向偏移。