- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
通过纳米尺度结区的热迁移实现单晶金属纳米线的可控生长
摘要： 由温度梯度驱动的质量输运在流体中十分常见。然而我们在此展示：当将冷纳米针尖从热固体基底上拉离时，热迁移现象会极其剧烈，以至于可被用于制备单晶铝、铜、银和锡纳米线。这表明在纳米尺度物体中，固体能凭借短距离内的快速表面扩散，在形态快速变化方面模拟液体特性。在均匀生长过程中，热端与冷端之间通?；嵝纬珊芯Ы纾℅B）的细颈状连接体，该连接体维持着极高的温度梯度——若非受到晶界内相对迟缓的镀覆过程及其产生的背应力的抵消，这种梯度本应驱动更大的质量通量。这种含晶界的连接体具有极强鲁棒性，能适应不同拉伸方向和速度，从而以类似直拉法晶体生长的方式为纳米线生长提供良好可控性。
关键词： 单晶、表面扩散、纳米线、晶界、热迁移
更新于2025-09-16 10:30:52
-
薄膜条带中的逆Blech长度现象
摘要： 数十年来，薄膜互连设计一直基于这样的认知：薄膜中电流诱导的质量输运（即电迁移）会随薄膜长度的减小而减弱。这种现象通常被称为Blech长度效应——当电流密度与薄膜长度的乘积小于临界值时，电迁移就会停止。我们报道了按Blech构型制备的铜薄膜条带中出现的新现象：观察到阴极处的电流驱动质量输运随样品长度缩短而增强，我们将此命名为"逆Blech长度效应"。进一步研究发现，铜薄膜阴极区的质量输运量与样品长度的倒数呈线性正相关。有限元分析显示，随着样品长度减小，铜薄膜端部自生温度梯度显著增大，足以诱发热迁移。因此当样品长度减小时，热迁移对阴极区总质量输运的贡献比例随之增加。这种电迁移-热迁移耦合效应被用于定性解释逆Blech长度现象的观测结果。本研究成果为微电子器件中器件级互连的设计开辟了新途径。
关键词： 微电子器件，逆Blech长度效应，铜薄膜条带，电迁移，热迁移，Blech长度效应
更新于2025-09-09 09:28:46