具有中心对称双垂直场板的新型沟槽SOI LDMOS性能分析

摘要： 本文提出了一种具有中心对称双垂直场板结构（CDVFPT SOI LDMOS）的新型沟槽SOI LDMOS。采用二维器件仿真器MEDICI研究该结构的特性。与常规沟槽SOI LDMOS（CT SOI LDMOS）相比，由于引入了中心对称双垂直场板结构，优化后的器件在击穿电压（BV）提升的同时比导通电阻（Ron,sp）显著降低。相较于此前带浮动垂直场板的沟槽SOI LDMOS（FVFPT SOI LDMOS），CDVFPT SOI LDMOS的整体性能也得到提升。仿真结果表明：与CT SOI LDMOS相比，CDVFPT SOI LDMOS的击穿电压从188V提升至234V，而比导通电阻则从2.30 mΩ·cm2降至1.24 mΩ·cm2。此外，在1 mW/μm2功率密度下最大晶格温度略有下降。