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oe1(光电查) - 科学论文

38 条数据
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  • BaTiO?陶瓷中单次弛豫电过程的中观动力学——改进的玻尔兹曼-泊松模型

    摘要： 本文聚焦于对BaTiO3陶瓷Boltzmann-Poisson模型的改进研究。在一阶弛豫时间近似和恒定外电场条件下，该方法包含了Heywang模型中压敏效应的正确二次关系。在介观动力学层面，经量子修正的Boltzmann-Poisson模型包含概率分布密度函数f(r, k, t)的时空关联及分数阶弛豫速度描述。这些新成果与我们基于电子粒子分形特性布朗运动的其他研究相吻合。

    关键词： 布朗运动、钛酸钡陶瓷、分形、海旺模型、玻尔兹曼-泊松模型、电介质

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 近未来通信系统的波传播概念 || 光子通过色散介质的传播

    摘要： 在本章中，我们研究光子通过色散介质的传播，首先利用类狄拉克方程描述自由光子的动力学特性，并分析该方程产生的能量解。随后与自由电子的情况进行对比。我们分别从经典和量子两个角度分析了光子与介质的相互作用，同时研究了光子在波导中传播时表现出的有限质量行为。作为本理论框架的技术应用，我们探讨了利用超材料特性来控制填充此类材料的波导中波传播的方法。

    关键词： 相干性、哈密顿量、光子、波函数、电介质、超材料、反粒子

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 原子层沉积Al2O3薄膜与AlGaN/GaN异质结构界面处的硫掺杂

    摘要： 基于对电荷构型和电子能带结构的理解，通过制备与数值模拟研究了原子层沉积Al2O3薄膜与AlGaN/GaN异质结构界面处的表面掺杂行为。在沉积Al2O3栅绝缘层前，采用不同温度的H2S环境退火实现硫掺杂。通过三甲基铝和水基原子层沉积工艺，在经硫处理的GaN盖层/AlGaN势垒/GaN结构上形成Al2O3薄膜，随后溅射TiN电极并进行成膜气体退火。飞行时间二次离子质谱显示硫元素集中分布于Al2O3/GaN盖层界面，其浓度随退火温度升高而增加。硫诱导产生的Al2O3/GaN盖层界面正电荷提升了二维电子气密度，并使夹断电压向负方向偏移。硫在GaN盖层和AlGaN势垒中的扩散会抑制正栅压下的电子积累，同时使溢出区的积累电压向正方向移动。此外，掺入的硫有效抑制了栅极漏电流。

    关键词： 硫化氢、电介质、氮化镓、硫退火、界面、氮化铝镓

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 基于稳健合成介质的高增益60GHz双极费米锥削槽天线

    摘要： 本文提出了一种基于独特合成介质的高性能反极性费米锥削槽天线，适用于60GHz频段的超宽带雷达应用。具体而言，该合成介质通过在辐射孔径区域集中设置机械加工孔实现，从而提升长尺寸天线的机械稳健性。此外，通过弯曲天线锥削末端可将后瓣电平抑制2.5dB。同时采用正弦波纹结构与介质加载技术，使天线辐射方向图与增益提升超过20dB。

    关键词： 波纹、电介质、波束成形、超宽带、锥形槽天线

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [IEEE 2018年第19届国际电子封装技术会议(ICEPT) - 上海 (2018.8.8-2018.8.11)] 2018年第19届国际电子封装技术会议(ICEPT) - 硫化锌粒径对ZnS/聚合物复合材料介电及储能性能的影响

    摘要： 能够承受高电场的介电聚合物在电子设备和电力系统中备受青睐，以确?？煽啃圆⑻峁└吣芰棵芏?。本工作采用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）作为表面活性剂，制备了三种粒径（100纳米、500纳米和3微米）的硫化锌颗粒。通过溶液混合与涂布工艺获得了硫化锌填充的聚偏氟乙烯薄膜，并系统研究了其介电性能与储能特性。实验表明：填充100纳米硫化锌的薄膜具有显著更高的击穿强度；当100纳米硫化锌填充量为3 wt%时，薄膜展现出优异的储能性能（击穿场强~496.6千伏/毫米，能量密度~6.47焦耳/立方厘米）。

    关键词： 电介质、聚合物复合材料、硫化锌、高压、储能密度

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • ??等价掺杂非化学计量钛酸铋钠钙钛矿的离子导电与介电性能

    摘要： 作为燃料电池组件，氧化离子导电固体电解质具有重要意义。近期，具有氧离子传导潜力的铋钠钛矿结构氧化物Bi0.5Na0.5TiO3（BNT）成为固体电解质研究新热点。通过调控铋空位或缺陷接受体掺杂成分，该材料可实现显著离子电导率。本研究探讨了无孤对电子的Sm元素（等价取代同价Bi）含量对非化学计量比(Bi0.45Ca0.04)Na0.5TiO2.965（BCNT）电学性能的影响。在固溶范围内，即使未引入额外设计空位，仍观察到材料从高阻态BCNT向以氧化离子传导为主导过程的转变。值得注意的是，掺杂较小尺寸的Sm阳离子有助于在高频区形成介电常数平台。研究提出孤对电子取代效应与晶格参数收缩是导致异常介电弛豫现象的原因。

    关键词： 钛酸铋钠，无铅，氧化物离子导体，电介质

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • Ho掺杂BaTiO3陶瓷在自补偿模式下的异常居里温度偏移

    摘要： 采用混合氧化物法在1400°C下制备了名义组成为(Ba1?xHox)(Ti1?xHox)O3的陶瓷材料（BHTH）。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、光致发光（PL）光谱、电子顺磁共振（EPR）和介电性能测试，研究了BHTH的结构、微观结构、介电性能及点缺陷。研究发现BaTiO3中的Ho3+倾向于以轻微占据Ba位点的自补偿模式存在，XRD测定细晶粒BHTH（0.5μm）中Ho3+的溶解度极限为x=0.03。观测到异常现象：当x从0.01增至0.03时，BHTH的居里温度从128°C向高温方向偏移至131°C。推断当BaTiO3同时掺杂Ho3+与其他类型离子时，Ho3+可能成为实现X8R特性的潜在共掺杂剂。

    关键词： 自补偿模式，点缺陷，掺钬钛酸钡，居里温度，电介质

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • 有限电介质电磁问题的准静态表面PEEC建模

    摘要： 本文提出了一种准静态表面等效部分单元电路（PEEC）模型，用于求解由有限尺寸耦合导体与异质电介质构成的电磁问题。该PEEC模型基于表面等效原理，与传统通过在真实场区域强制实施场连续性建立积分方程的表面PEEC模型不同，本模型通过在零场区域强制切向零场条件获得齐次积分方程。在准静态假设下（忽略介质表面承载电流和磁荷的电路元件），推导出简化积分方程，使得描述电介质的子电路规模较全波表面PEEC（S-PEEC）模型显著减小。由于该准静态S-PEEC模型仅包含与频率无关的电路元件，可便捷地用于时域仿真。通过三个数值算例验证了新PEEC模型对典型嵌入式射频无源器件、封装及互连问题在频域和时域的有效性，在准静态频段内，所提PEEC模型与S-PEEC模型及商业软件的计算结果均呈现良好一致性。

    关键词： 电介质、积分方程、互连、部分元件等效电路（PEEC）方法、嵌入式无源元件

    更新于2025-09-04 15:30:14