脉冲激光沉积法制备的锰卟啉-二氧化硅杂化膜的电化学行为及分析应用

摘要： 与单一组分相比，杂化纳米材料可能具有更优异的性能，有时能显著提升其光电活性。为此，研究人员采用将5,10,15,20-四(4-甲苯基)卟啉氯化锰(III)（MnTTP）嵌入二氧化硅基质的杂化材料，制备了改性碳电极。通过激光烧蚀沉积技术（PLD）将锰卟啉-二氧化硅杂化物固定在碳电极表面，紫外-可见吸收光谱证实了锰卟啉的成功转移。利用原子力显微镜（AFM）和电化学方法（循环伏安法与方波伏安法）对PLD沉积的杂化薄膜进行了表征。研究表明，该杂化纳米材料薄膜可作为氧化还原介质，用于缓冲溶液（pH=6.5）中抗坏血酸的阳极氧化及灵敏伏安测定。记录到的阳极过程归因于其氧化为脱氢抗坏血酸，具有令人满意的催化电流响应和较低的非法拉第电流。