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oe1(光电查) - 科学论文

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  • CIGS太阳能电池反向偏压暴露导致的缺陷中材料性能变化

    摘要： 铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2）组件局部遮阴会导致反向偏压诱导的蠕虫状缺陷形成。这些蠕虫状缺陷作为局部短路点会永久降低组件输出功率。为减轻负面影响或防止此类缺陷形成，必须深入理解其形成与扩展机制。本文通过使小型未封装电池片承受反向偏压条件成功制备了蠕虫状缺陷。扫描电子显微镜-能谱分析显示：缺陷区域周边发生了元素重排——铟、镓和铜被镉取代，而硒则被硫取代。此外，光谱分辨光致发光光谱在该区域检测到额外的电子缺陷能级?；谌涑孀慈毕萘诮虻牟牧媳浠疚奶岢隽艘恢掷┱够颇Ｐ?。该模型认为化学反应当作扩展驱动力（而非欧姆加热导致的熔融作用）。

    关键词： 光致发光（PL）、光伏（PV）电池、电击穿、可靠性、薄膜器件、镉

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 表征单根n-i-n-n<sup>+</sup>:GaN纳米线的电击穿特性

    摘要： 通过扫描电子显微镜（SEM）内的原位纳米探针技术，研究了单根n-i-n-n?氮化镓（GaN）纳米线（NWs）的电输运特性和击穿行为。通过提高纳米线顶部n?-GaN段的硅掺杂浓度，纳米探针接触电阻显著降低。实验定量测定了纳米线击穿参数（即击穿电压、功率和电流密度）与n?-GaN硅掺杂浓度及纳米线直径的依赖关系，并通过纳米线的局部热分解机制进行了解释。得益于低纳米线-纳米探针接触电阻，实现了4.65 MA/cm2的击穿电流密度和96.84 mW的击穿功率，均为目前报道的GaN纳米线测量结果中的最高值。

    关键词： 硅掺杂、电击穿、氮化镓纳米线、热分解、纳米探针

    更新于2025-09-10 09:29:36