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尺寸、覆盖度与分散性对金属纳米粒子电位控制奥斯特瓦尔德熟化的影响
摘要： 我们在此描述了附着于(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷(APTES)修饰的玻璃/氧化铟锡(glass/ITO)电极上的1.6、4和15纳米直径金纳米颗粒(NPs)所发生的尺寸依赖性、电化学控制的奥斯特瓦尔德熟化过程。在含溴化物电解液中，将金纳米颗粒包覆电极保持在与溶解电位相比更负的恒定电位时，不同尺寸的金纳米颗?；岱⑸缁О滤固赝叨率旎?。电化学奥斯特瓦尔德熟化过程中纳米颗粒直径的相对增长(Dfinal/Dinitial)随纳米颗粒尺寸减小、施加电位升高、纳米颗粒尺寸分散度增大以及电极上纳米颗粒覆盖度增加而增强。通过监测受控电位下金纳米颗粒平均尺寸随时间的变化，可以测定奥斯特瓦尔德熟化速率。阳极溶出伏安法(ASV)和表面积与体积比(SA/V)的电化学测定为多种样品和条件提供了快速便捷的尺寸分析方法，部分样品的扫描电子显微镜(SEM)图像也显示出一致的尺寸结果。更好地理解电化学奥斯特瓦尔德熟化过程（特别是在电位控制条件下）十分重要，因为这是金属纳米颗粒合成过程中的主要现象，并会导致电化学应用中出现有害的尺寸不稳定性。
关键词： 电化学控制、表面积与体积比、阳极溶出伏安法、尺寸依赖性、金属纳米粒子、奥斯特瓦尔德熟化
更新于2025-09-23 15:19:57
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通过少层MoS2顶面的可逆选择性离子插层
摘要： 电化学离子插层至二维（2D）层状材料的范德华间隙是一种极具前景的低温合成策略，可用于调控其物理化学性质。学界普遍认为离子倾向于通过二维薄片的边缘进入范德华间隙，这通?；岬贾虏牧掀鹬搴突洹１狙芯恐っ骼胱右部赏ü俨鉓oS2的顶面进行插层，且与边缘插层相比，这种插层方式具有更强的可逆性与稳定性。密度泛函理论计算表明，剥离态MoS2薄片中天然缺陷的存在使该插层过程成为可能。此外我们发现，密封边缘的MoS2允许小尺寸碱金属离子（如Li+和Na+）插层，却能阻隔大尺寸离子（如K+）。这些发现为开发具有高可调性与离子选择性的功能性二维材料器件提供了潜在应用方向。
关键词： 缺陷、二硫化钼、电化学控制、二维材料、离子插层
更新于2025-09-04 15:30:14