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(C<sub>4</sub>H<sub>9</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>PbI<sub>4</sub>有机-无机量子阱的电吸收光谱积分法分析及电致发光研究
摘要： 对二维杂化有机-无机卤化物钙钛矿半导体((C4H9NH3)2PbI4)（N1）进行了电场诱导的吸收光谱、光致发光（PL）光谱及PL衰减曲线变化的测量。通过假设斯塔克位移，分析了室温及45K低温下观测到的电吸收（E-A）光谱，确定了光激发后电偶极矩和极化率变化的大小。45K低温E-A光谱中观测到的强信号被解释为：由光激发后极化率大幅改变导致的极斯塔克位移效应极其显著的弱吸收带。该化合物的电致发光光谱（即场诱导PL光谱变化）显示，外加电场会猝灭N1的PL。场效应对PL衰减曲线的影响表明，猝灭既源于光激发后发射态布居数的场致减少，也源于发射态非辐射衰减速率增强导致的场致寿命缩短。在45K低温下，出现分别源自不同相态的两种激子发射，且两者被施加电场以不同效率猝灭。同时还发现：低温下波长长于尖锐激子带的陷阱发射具有比激子发射更高效的场致猝灭效应，这表明电场会减缓光激发态向陷阱态的能量转移。
关键词： 电致发光、电吸收、钙钛矿、斯塔克位移、量子阱
更新于2025-09-23 15:21:21
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面向超低功耗芯片间光互连的低压耦合多量子阱电反射调制器
摘要： 基于耦合多量子阱（CMQWs）多次通过电吸收（EA）效应的电反射调制器被证实可与低损耗聚合物光波导集成，用于实现850纳米波长的芯片间与板载光学互连。该器件利用MQWs中量子态的耦合特性，通过顶部聚合物包层与底部金镜构成法布里-珀罗腔，进一步增强CMQWs的电吸收效应，从而在低电压下显著提升消光比（ER）。该器件在2伏驱动电压下实现约6分贝的消光比和小于3分贝的插入损耗（IL），其性能明显优于同驱动电压下的传统表面入射式EA调制器。进一步优化的调制器设计可在2伏电压下达到9-12分贝的峰值消光比，同时保持2-3分贝的低插入损耗和约10纳米的较宽光谱带宽。其低电容特性与低压反向偏置工作模式，相比850纳米激光器的直接调制方式有望实现约10倍的功耗降低。这种简单的表面入射式CMQW调制器，是集成超低功耗芯片间与板载互连架构的理想候选方案。
关键词： 调制器、耦合多量子阱、光互连、法布里-珀罗腔、电吸收
更新于2025-09-23 15:21:01
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L波段InAs/InP量子点波导的电吸收与电光特性表征
摘要： 研究了基于InAs/InP量子点阵有源区的~1600 nm发射波导的电吸收和电光特性。在吸收光谱变化中观察到两个主要峰值，在-8V偏压下达到最大值7070 cm-1，在工作波长范围（1460-1620 nm）内具有优异的均匀消光比约15 dB。温度对电吸收（EA）测量的影响表明高温会导致两个主要吸收光谱峰值合并。此外，电光测量显示折射率变化及其效率值分别为~2.9×10-4和~0.5×10-4 V-1，因此在-2 V和-4 V偏压下分别表现出低啁啾因子0.9和1.5。作为具有量子阱和量子点双重特征的准三维限制结构，该量子点阵波导展现出优于量子点、接近量子阱的优异电吸收和电光特性，同时实现低啁啾和宽工作波长范围。这为未来光接入网络（特别是宽C波段至L波段区域）中基于量子点阵的EA和电光调制器的潜在实现铺平了道路。
关键词： 量子点、调制器、电光、电吸收、量子点线
更新于2025-09-23 15:19:57
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[IEEE 2019 SBFoton国际光学与光子学会议（SBFoton IOPC）- 巴西圣保罗（2019年10月7日-2019年10月9日）] 2019 SBFoton国际光学与光子学会议（SBFoton IOPC）- 用于电光调制的石墨烯共面电容器
摘要： 我们展示了一种基于共面电容器结构、构建于侧抛光纤上的全光纤石墨烯电吸收光调制器。当PMMA覆盖层最大厚度为1微米时，在0.1微米和1微米间隙条件下分别实现了7.6分贝/毫米和5.3分贝/毫米的最大调制深度、98.4飞法/毫米和63.1飞法/毫米的电容值，以及16.2吉赫兹和25.3吉赫兹的工作频率。本工作的贡献在于展示了一种通过优化工艺制造实现低电容设计的光调制方案。
关键词： 基于石墨烯的调制器、共面电容器、侧抛光纤、电吸收
更新于2025-09-11 14:15:04