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原子力显微镜辅助研究电子器件中的共形涂层
摘要： 目的——本文旨在提出一种研究微电子用保形涂层局部特性的新方法。设计/方法/途径——该方法基于原子力显微镜（AFM）技术，并具备局部电学测量功能，在获取形貌的同时可记录局部阻抗谱、阻抗成像及直流电流分布图。通过在商用环氧涂层电子印刷板（原始状态及使用六年后）上的应用，验证了该AFM辅助方法的效能。研究发现——该技术能有效识别、空间定位并表征保形涂层的缺陷。实践意义——该方法可用于评估电子或电工等严苛领域中防护膜的状态，这些领域因元件尺寸微小且涂层相对较薄，传统防腐涂层检测技术难以适用。原创性/价值——作者采用的方法在有机涂层研究领域具有创新性。
关键词： 降解、腐蚀、电子学、显微镜技术、涂层与衬里
更新于2025-09-23 15:23:52
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透明导电材料（材料、合成、表征、应用）|| 金属纳米线
摘要： 金属纳米线是一维的金属实体，具有单晶或多晶特性[1]。过去二十年间，由于其在等离激元学[2]、电子学[3]、电催化[4]等领域的重要应用，金属纳米线引发了巨大的研究关注。近十年来，研究人员尝试将金属纳米线涂覆在透明基底上制成透明导电薄膜（TCF）[5-7]?；诮鹗裟擅紫叩腡CF在可见光透明度和导电性方面快速提升，性能已可比肩最先进的氧化铟锡（ITO）TCF[8-10]。对金属纳米线TCF潜在应用的认可激发了其合成研究的热情。迄今已合成了多种金属纳米线，包括银纳米线（AgNWs）[11]、金纳米线（AuNWs）[12]、铜纳米线（CuNWs）[13]和铂纳米线[14]。双组分金属纳米线如Cu@Ni[15]、Ag@Au[16]、Cu@Ag[17]、Ag@Ni[18]和Cu@Pt[19]核壳结构纳米线也已成功制备。这些纳米线被涂覆在基底上制成TCF并进行了性能表征。在金属纳米线TCF研究初期，其透明度低于80%，方阻高达数千欧至兆欧。为提升性能，学界已广泛开展实验研究和理论建模。
关键词： 核壳纳米线、透明导电薄膜、等离子体学、电子学、金纳米线、金属纳米线、银纳米线、铜纳米线、电催化
更新于2025-09-23 15:21:21
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放射学、激光、纳米粒子与假肢 || 15. 假肢
摘要： 当身体部位和功能出现衰竭时，有两种补救可能：再生或替换。再生永远是更优选择。但若因故无法实现，采用供体器官或人工部件进行替换则是次优方案。本章我们将探讨被称为假体的人工替代方案。假体可替代肢体或器官，旨在尽可能完好地接管健康器官的功能。我们区分两种假体类型：外置假体（位于身体外部）；内置假体（位于身体内部，亦称植入物）。
关键词： 计算机技术、电子学、植入物、外置假肢、假肢、生物力学、生物医学、内置假体、材料科学、仿生学
更新于2025-09-11 14:15:04
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噪声源及其对复合半导体硬辐射探测器性能的限制
摘要： 我们报道了用于硬辐射探测器的光导三元化合物Cs3Sb2I9、Rb3Sb2I9、Hg3Se2I2和TlSn2I5的频率相关噪声谱测量结果。这些探测器的主要噪声源归因于拾取噪声、白噪声和与频率相关的1/f噪声。在低频段，噪声谱密度函数呈现1/f^α特性（α≤1）。对于α=1的样品，其辐射探测性能（基于光谱测量）已在先前文献中报道，这类样品的1/f噪声源于深能级中心/陷阱空穴的载流子涨落。当α<1时，偏离线性1/f关系的成因尚不明确且正在研究中，但该偏差与更高的背景白噪声及更低的探测器性能相关，表明材料仍需进一步优化。噪声测量是筛选潜在探测器材料与样品的有效指标。
关键词： 电子学、辐射探测器、噪声、半导体
更新于2025-09-10 09:29:36
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D<sup>2</sup>R<sub>1</sub>：一种基于CdTe的二维X射线探测器，用于精细间距与高能量分辨率成像光谱分析
摘要： 本文描述了一种名为D2R1（二维修订版1）的16×16像素CdTe基X射线探测器，其像素尺寸为300微米×300微米。通过铟金柱键合工艺将专用集成电路（ASIC）与CdTe探测器互连。该ASIC的平均等效噪声电荷为29电子均方根值（0皮法条件下）。低电容互连结构、低暗电流探测器（0.5皮安）与优化ASIC的组合，实现了60千电子伏能量下584电子伏半高全宽的光谱分辨率，能量阈值为2千电子伏且动态范围达250千电子伏。采用多相关双采样滤波级使系统能以10千计数/秒的典型频率测量X射线光子，适用于光子通量低于3000光子·厘米?2·秒?1的低通量场景。D2R1的能量范围、分辨率和计时性能可适配多种应用场景，如X射线天体物理学、核安全或医学领域。
关键词： 专用集成电路（ASIC）、电子学、光谱学、能量分辨率、X射线、碲化镉（CdTe）、低噪声、成像
更新于2025-09-10 09:29:36
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二维电子学与光电子学：现状与未来
摘要： 自十多年前成功分离出石墨烯以来，研究人员已对多种二维层状材料展开研究。这些材料具有广泛的电子特性，包括金属、半金属、半导体和绝缘体。其中许多二维材料在电子和光电子应用领域展现出良好前景。
关键词： 过渡金属二硫化物、黑磷、光电子学、电子学、二维材料、石墨烯
更新于2025-09-09 09:28:46
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碳纳米管在薄膜晶体管中的衬底全局限剪切排列
摘要： 为利用半导体碳纳米管在晶体管中的电荷传输特性，必须将其组装成由单根纳米管以最佳堆积密度构成的定向阵列。然而，在晶圆尺度上实现这种精准控制具有挑战性。本研究通过基底全幅受限通道内的溶液剪切法，探究了连续沉积高度定向、单根分散的半导体纳米管薄膜的工艺。将聚合物包裹的有机墨水纳米管强制通过亚毫米级高度通道，产生高达10,000 s?1的剪切力，实现跨基底的均匀纳米管定向排列。研究阐明了墨水体积与浓度、通道高度及剪切速率的依赖关系。优化条件下可在10×10 cm2基底上实现±32°窗口内的定向排列，密度达50根/微米。沿平行与垂直定向方向制备了沟道长度1-5微米的晶体管，平行排列晶体管展现出7倍更快的载流子迁移率（分别按阵列电容和平板电容计算时为101与49 cm2 V?1 s?1），并具有10?的高开关比?？占渚刃员硐治好芏绕睢?0%、定向偏差±2°、迁移率偏差±7%。每片晶圆的沉积过程仅需数秒，且支持更大尺寸基底的扩展应用。相比随机网络，定向纳米管薄膜有望成为传感器、柔性/可拉伸电子器件以及发光/光捕获设备的更优平台。
关键词： 电子学、对准、迁移率、场效应晶体管、半导体
更新于2025-09-09 09:28:46