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生物合成CeO2纳米颗粒的光催化活性
摘要： 本文重点研究一种经济环保的绿色合成技术，通过共沉淀法利用不同品种龙蒿叶提取物（作为还原剂和封端剂）从六水合硝酸铈(III)溶液中制备氧化铈(CeO2)纳米颗粒。采用XRD、TEM、FTIR和紫外-可见光谱对制备的CeO2纳米颗粒进行表征。通过测定氧化铈粉末在紫外光辐射下降解亚甲基蓝溶液的能力评估其光催化活性。实验结果表明：在pH=11条件下，使用10 mg/L氧化铈处理180分钟时获得最高降解效率，其准一级反应速率常数为0.983。
关键词： 纳米粒子、光催化、电子材料、氧化铈
更新于2025-09-23 15:23:52
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掺钴氧化锌纳米纤维的独特电磁损耗特性
摘要： 本文采用静电纺丝法制备了钴掺杂氧化锌纳米颗粒和纳米纤维。结果表明，钴掺杂氧化锌纳米纤维呈现珠状纤维形貌并具有铁磁性。由于偶极极化、界面极化和形状各向异性的改善，钴掺杂氧化锌纳米纤维的介电损耗和磁损耗性能显著优于钴掺杂氧化锌纳米颗粒。当涂层厚度为1.5-4.0毫米时，钴掺杂氧化锌纳米纤维在5.3-18 GHz频率范围内的吸收率可达70%。研究表明，珠状纤维形貌有利于优化钴掺杂氧化锌的电磁损耗和微波吸收性能。
关键词： 电子材料、电磁损耗、磁性材料、氧化锌
更新于2025-09-23 15:23:52
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迄今为止最长的并苯二酰亚胺
摘要： 并苯是一类具有高导电潜力的材料，其较小的带隙会随着共轭π体系的延长而快速减小。然而，大尺寸并苯往往存在溶解性差和π体系延长后反应活性高的问题。通过引入吸电子酰亚胺基团来改善并苯性能的研究备受关注，因为这类基团能同时提升溶解性和稳定性。在此，李、王及其合作者报道了前所未有的六并苯二酰亚胺的合成，并展示了其双极传输特性。
关键词： 茂锆化合物、并苯类、电子材料、酰亚胺
更新于2025-09-23 15:21:21
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电子材料的近紫外拉曼与显微拉曼分析
摘要： 拉曼与显微拉曼分析方法已被广泛用于研究电子和光子器件材料。拉曼光谱可用于理解基本声子特性，以及与晶体结构、无序性、掺杂和外源因素（如温度与应力）相关的效应。显微拉曼技术将这些研究拓展至微米尺度。本文综述了采用近紫外波段（约400至325纳米）激光激发进行拉曼测量时的多重优势。近紫外显微拉曼技术利用衍射极限光学系统在更短波长下实现聚焦光斑尺寸减小的关键优势，从而获得高空间分辨率的成像。相较于广泛使用的可见光激发，近紫外拉曼与显微拉曼光谱具有独特优势：其一可利用特定材料中较浅的光学穿透深度来探测近表面区域或界面；其二通过调节激发光子能量与材料电子能级的相对关系来研究共振效应；最后，对于强荧光材料，需将拉曼散射波长调整至远离可能干扰信号的发射谱区。本文通过多个实例展示这些核心优势在解决电子与光子材料应用物理问题中的应用，包括硅及相关材料的应力分布、氮化镓等III族氮化物半导体的应力与热效应，以及从石墨、石墨烯到化学气相沉积金刚石的碳材料研究。文中还简要回顾了应力与温度诱导声子能量偏移的基本效应及其在研究外延生长和器件相关效应中的应用。
关键词： 近紫外、应力映射、碳材料、化学气相沉积、声子特性、拉曼光谱、电子材料、显微拉曼、氮化镓
更新于2025-09-23 15:21:01
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观察到吲哚烯的罕见荧光现象
摘要： 观察到吲哚烯的罕见荧光现象。意义：Haley及其同事报道了一种可自由溶解的荧光二蒽嵌吲哚烯（DAI 1）的合成方法。将蒽环与吲哚烯核心进行2,3-位融合可最小化其反芳香性，使其成为迄今为止报道的反芳香性最低的二蒽嵌吲哚烯。评论：研究提供了DAI 1及其还原二阴离子的X射线晶体结构表征。使用体积较小的苯基替代空间位阻较大的均三甲苯基导致1,2-位融合，且进一步氧化反应未能发生。与所有先前报道的茚并芴衍生物不同，DAI 1具有荧光特性（尽管量子产率仅为1%）。
关键词： 荧光、电子材料、反芳香性、茚并烯
更新于2025-09-23 15:22:58
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基于还原氧化石墨烯和原位极化增强PVDF-TrFE薄膜的可穿戴压电纳米发电机
摘要： 基于PVDF-TrFE的可穿戴纳米发电机通过还原氧化石墨烯(rGO)和原位电场极化实现了性能提升。我们实验室自制的极化系统可在无需加热的条件下5分钟内完成PVDF-TrFE薄膜的原位极化，相比传统极化方法具有生产效率高、压电性能优异和均匀性良好的优势。向PVDF-TrFE中添加rGO显著提高了β相PVDF-TrFE的结晶度，并通过rGO与PVDF-TrFE之间的偶极相互作用增强了氢键形成。这使得这些压电纳米发电机的能量收集性能进一步提升，其开路电压达到纯PVDF-TrFE器件的1.6倍，功率密度达到2倍。原位极化rGO/PVDF-TrFE的高生产效率和优异压电性能使其在自供电可穿戴/便携设备领域具有重要应用潜力。
关键词： 电子材料、还原氧化石墨烯、PVDF-TrFE、可穿戴压电纳米发电机、原位极化
更新于2025-09-24 07:29:49
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基于组装二硒化钼纳米球阵列的优异电阻开关存储性能
摘要： 基于氧化物的阻变器件具有优异特性，使其成为替代当前晶体管计算机存储器的非易失性存储器有力候选者，未来甚至有望应用于神经形态计算。本研究首次通过水热法合成了直径约2.0微米的MoSe2纳米球，并进一步以自组装MoSe2纳米球阵列作为功能层制备了阻变器件。该器件展现出优异的阻变存储特性，具有稳定的电阻比和高耐久性。此外，我们从金属离子在外电场作用下于纳米球表面迁移形成导电细丝（CF）的生成-断裂机制角度阐释了阻变行为机理。这些特性为忆阻器制备提供了新思路——通过组装纳米结构阵列可提升阻变存储性能。
关键词： 导电细丝、二硒化钼纳米球、存储器件、电子材料、电阻开关
更新于2025-09-16 10:30:52
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通过浸渍法构建厚度可控的氧化镍纳米片层与二氧化钛纳米棒阵列耦合异质结构，用于自供电固态紫外光传感器应用
摘要： 制备了一种由氧化镍纳米片（NNS）和二氧化钛纳米棒阵列（TNAs）组成的耦合异质结构，用于自供电固态紫外（UV）光传感器应用。通过在90°C沉积温度下改变生长时间（1至5小时）来控制NNS层厚度，形成了耦合的NNS/TNAs异质结薄膜，并研究了其结构、光学、电学及紫外光电响应特性。在0V偏压、365nm波长和750mW·cm?2紫外辐照条件下，通过将NNS厚度从140nm增至170nm，提升了所制自供电紫外光传感器的光电流。当NNS生长时间为3小时且厚度为170nm时，样品实现了0.510mA·cm?2的最大光电流密度。结果表明，所制备的NNS/TNAs异质结在自供电紫外光传感器领域具有应用潜力。
关键词： 二氧化钛纳米棒、电子材料、半导体、浸渍法、光传感器、氧化镍纳米片
更新于2025-09-11 14:15:04
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p型硅整流石墨接触的电阻温度依赖性电学特性
摘要： 石墨与半导体的接触被证实能提供高度整流的电流-电压特性，同时兼具优异的热/化学稳定性。通过能量沉积法制备的p型硅石墨接触展现出高达10?:1的整流比（±1.0V下）和接近1的理想因子。本研究报道了此类器件的温度依赖性电流-电压（I-V-T）测试结果。测量及后续分析表明：在能量碳沉积过程中，硅衬底表面的有害氧化物/污染物被有效清除。从I-V-T数据提取的p型硅理查德森常数与理论值吻合，证明表面污染物去除过程未对基底硅造成显著损伤。因此，通过能量沉积法在硅上形成碳-硅结时，可获得横向均匀性良好且界面缺陷密度低的接触。这些结区特性共同促成了所观察到的近理想肖特基二极管行为。
关键词： 石墨烯碳、电子材料、石墨化碳、肖特基接触
更新于2025-09-10 09:29:36
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晶体铁酞菁的简易合成与表征
摘要： 采用1,8-二氮杂二环[5.4.0]十一碳-7-烯为催化剂，通过溶剂热法成功合成了铁酞菁(FePc)。分别利用X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱仪、紫外-可见吸收光谱仪以及场发射扫描电子显微镜(配备能谱仪)系统表征了FePc粉末的晶体结构和形貌。观察到纯β相FePc且产率高达80%。其微观结构呈棒状形态，长度范围为200-600微米，宽度为5-20微米。该FePc材料在微电子器件领域具有潜在应用价值。
关键词： 半导体，晶体生长，电子材料
更新于2025-09-09 09:28:46