氮掺杂对TiO?价带和导带电子结构的影响

摘要： X射线发射光谱（XES）和X射线吸收光谱（XAS）为探测物质中最高占据态与最低未占据态提供了独特手段，且具有体相灵敏度。本研究结合价带至芯能级XES与前驱边XAS技术，测定氮掺杂二氧化钛电子结构的变化。实验数据表明：氮掺杂导致p态进入占据电子位点；导带中最低未占据的d局域轨道电子数相对于d离域轨道出现减少。理论计算证实，TiO?结构中的N p态具有比O p态更高的结合能，这使得掺杂材料的带隙能量值更小。