采用双侧渐变电子阻挡层抑制AlGaN基深紫外LED的效率衰减。

摘要： 我们设计并构想了一种基于III族氮化物的新型深紫外发光二极管（DUV LED），通过在电子阻挡层（EBL）采用双侧渐变结构，在较高电流密度下实现了合理的高效率。EBL的双侧阶梯式与线性渐变结构因改善了空穴注入、抑制了电子溢出并降低了有源区的静电场，从而展现出更优性能。性能曲线表明，相较于传统LED，EBL双侧线性渐变结构使功率提升了5.63倍，且在200 A/cm2电流密度下（发射波长约273 nm时），效率衰减低至15%。