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利用高速电容-电压剖析技术研究Cu(In,Ga)Se?器件中的电压诱导电荷再分布
摘要： 采用高速电容-电压剖面分析法对Cu(In,Ga)Se?（CIGS）太阳能电池材料器件进行阶梯式电压变化测试后评估发现：电压变化主要影响CIGS吸收层中深能级受主附近的界面电荷，并在深能级瞬态谱测量中产生具有温度依赖性的电容变化。SCAPS器件模拟表明，该深能级受主浓度比浅掺杂水平高出两个数量级。所有被研究材料均存在高浓度深能级受主，这些深缺陷能级足以限制少数载流子寿命和电池效率。
关键词： CuInxGa1?xSe2（CIGS）、电容法、太阳能电池
更新于2025-09-23 15:23:52
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采用不同方法分析的ECR-PECVD SiO2/p-Si MOS结构界面态综合研究
摘要： 采用ECR-PECVD法沉积的SiO2/p-Si薄膜在不同频率（100Hz-1MHz）和栅压（-6~3V）下的电学特性研究表明：C-Vg曲线与G/ω-Vg曲线均呈现频率色散现象。随着频率升高，电容值与电导率显著降低。G/ω-Vg曲线在耗尽区出现的明显峰值可归因于Si/SiO2界面处存在界面态密度Nss。通过高频-低频电容技术测定Nss值介于1.5×10^12至0.5×10^11 eV^-1 cm^-2之间。Nss-Vg曲线在约-3V处出现峰值，表明(Si)/SiO2界面间存在Nss。Hill-Coleman方法显示Nss随频率升高而降低，这解释了低频区高电容值的成因。通过电导法测得Nss及其弛豫时间τ的范围分别为1.8×10^13至1.37×10^11 eV^-1 cm^-2和5.17×10^-7至8×10^-6秒，对应能级范围分别为(0.189-eV)和(0.57-eV)。这些界面态是导致C-Vg与G-Vg曲线非理想行为及器件击穿失效的主要原因。三种方法的对比结果表明平行电导测量法具有极高的精确度。
关键词： 电容法、弛豫时间、频率、界面态、金属/氧化物/半导体（MOS）、电导法
更新于2025-09-23 15:23:52