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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 由α-氧化锌纳米棒组成的薄膜的电输运特性

    摘要: 背景:由于其宽禁带、高激子结合能和高击穿强度,ZnO纳米结构在电子器件、光子器件及高频应用领域具有潜在应用价值。 目的:本研究旨在探究由非晶态ZnO纳米棒组成的薄膜的电输运特性。 方法:采用物理气相冷凝法制备ZnO纳米棒,通过扫描电子显微镜观察其形貌,利用X射线衍射仪记录所制薄膜的X射线衍射图谱,采用四探针法进行直流电导率测量。 结果:制备的ZnO纳米棒直径为10-20纳米,长度达数百纳米量级。由ZnO纳米棒组成的薄膜XRD图谱显示其具有非晶特性。在297-4.2K温度范围内研究了直流电导率的温度依赖性:297-120K区间采用Mott三维变程跳跃传导机制解释电导现象;120-4.2K低温区间则可能由费米能级附近局域态中的二维变程跳跃载流子输运主导。 结论:基于直流电导率数据的温度依赖性分析表明,在整个298-4.2K温区内存在变程跳跃机制(VRH),当温度低于125K时该机制从三维形式转变为二维形式。

    关键词: 物理气相凝聚技术、变程跳跃、X射线衍射、氧化锌纳米棒、扫描电子显微镜、莫特参数、电导机制

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 掺镧BiVO4的动态力学与电学行为

    摘要: 钒酸铋(BiVO4)是一种应用广泛的重要半导体材料,但其基本动态行为仍缺乏深入认知。为解决这一问题,我们采用结构、内耗(IF)、模量、介电及阻抗谱的综合分析方法,系统揭示了一系列Bi1-xLaxVO4陶瓷(0 ≤ x ≤ 0.15)的动态力学与电学行为。通过精密力学测量,我们在Bi1-xLaxVO4陶瓷中观测到五个内耗峰、对应的模量异常及高温蠕变行为。通过分析相关动力学参数、缺陷形成与演化过程,建立了包含四个阶段的铁弹畴复杂演化模型,并阐明了晶界弛豫的起源。电学实验显示低温与高温区分别存在两种显著不同的激活过程。结合结构与力学表征,证实433-633K区间以混合电子/氧离子传导为主,经633-673K的结构转变后,在更高温度(673-833K)呈现复杂的缺陷传导机制。本研究为深入理解BiVO4基材料的基本动态行为及其实际应用拓展奠定了基础。

    关键词: 钒酸铋、动态力学行为、电学行为、铁弹畴、晶界弛豫、电导机制、BiVO4、镧掺杂

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [2018年IEEE第二届介电材料国际会议(ICD)- 布达佩斯(2018年7月1日-2018年7月5日)] 2018年IEEE第二届介电材料国际会议(ICD)- 环氧树脂/h-BN微复合材料的高压电性能

    摘要: 对比纯环氧树脂,研究了填充30 wt%微米级六方氮化硼(h-BN)的环氧复合材料的两项高压特性——直流电导率和交流击穿强度。已研究h-BN对直流电导率场强依赖性的影响(最高至18 kV/mm)。添加h-BN并未改变导电机制:无论是纯环氧树脂还是复合材料,其J-V特性在低场强下均呈现欧姆行为,在高场强下则表现为空间电荷限制电流(SCLC)。但添加30 wt% h-BN会降低整体电导率,并提高欧姆区与SCLC区之间的阈值电压,从而相比纯环氧树脂显著改变了该场强范围内的电导率表现?;费?h-BN复合材料的交流击穿强度得到提升,而通常而言在环氧基体中添加微米填料往往会降低该强度。

    关键词: 直流电导率、电导机制、环氧复合材料、六方氮化硼、交流击穿强度

    更新于2025-09-09 09:28:46