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扶手椅型石墨烯纳米带（AGNRs）中波包的颤动运动
摘要： 本文从理论上采用长波近似方法研究了扶手椅型石墨烯纳米带(AGNRs)中的颤振运动(Zitterbewegung, ZB)现象。我们首先关注AGNR中电流密度平均值的时变特性，在海森堡表象中解析推导了电流密度算符的纵向与横向分量。研究考虑了具有半宽d、纵向载波波矢kxo的高斯分布波包，通过数值计算得到了表征电子沿纳米带运动所诱导电流的电流密度平均值。两个能带（或相应上下能态）之间的干涉效应导致了扶手椅型石墨烯纳米带中的颤振运动，因此我们的研究结果强调：ZB现象在纵向和横向分别呈现非周期且非瞬态的振荡特征。通过取极大N值计算AGNRs的电流密度平均值，并与无限大本征石墨烯进行对比。
关键词： 电流密度，扶手椅型石墨烯纳米带（AGNR），零点颤动，波包，颤振运动
更新于2025-09-23 15:22:29
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[2018年第二届电子、材料工程与纳米技术国际会议（IEMENTech）- 加尔各答（2018年5月4日-5月5日）] 2018年第二届电子、材料工程与纳米技术国际会议（IEMENTech）- 自洽技术对共振隧穿二极管电流密度分布的影响
摘要： 本文揭示了自洽技术在计算共振隧穿器件电流密度中的重要性。为进行模拟，采用AlxGa1-xAs/GaAs/AlyGa1-yAs结构，在适当边界条件下同时求解薛定谔方程和泊松方程，以获得随外偏压变化的电流密度。通过改变I型能带范围内的结构参数和材料组分来获取电流波动——若不采用自洽技术计算则不会出现这种波动。研究结果具有重要意义，因为所得电流幅值高于未使用自洽技术时的计算结果。由于特定系统组分下会出现峰值，该结果对RTD的低偏压应用具有重要价值。
关键词： 峰值电流密度、共振隧穿二极管、泊松方程、电流密度、自洽技术、薛定谔方程
更新于2025-09-23 15:22:29
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具有主客体发光层多层有机发光二极管的数值模拟：缺陷态的作用
摘要： 本研究提出了一种用于多层有机发光器件（OLED）电学与光学特性数值模拟的综合模型。该模型由三部分组成：载流子输运模型、激子模型以及计算亮度的后处理?？椤ＤＰ投杂谢阒械娜毕萏辛私２⒔湟敕匠烫逑?。为阐明缺陷态在此类器件中的作用规律，我们研究了一个由电子传输层和空穴传输层夹持的主体-客体发光层构成的多层OLED。将分析器件的电流密度与亮度计算结果与实验数据进行对比，发现考虑缺陷态后，模拟结果与实验数据具有良好的一致性。
关键词： 主体-客体发光层、亮度、电流密度、有机发光二极管、数值模拟、缺陷态
更新于2025-09-23 15:21:01
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光和重空穴在电场与磁场作用下的自旋相关隧穿
摘要： 在一个施加了外电场和磁场对称异质结构中，分析了轻空穴与重空穴的自旋相关隧穿效应。针对轻空穴与重空穴的极化效率，讨论了偏置电压、磁场及反向偏压的影响。随着偏置电压升高，自旋向上与向下的轻空穴电流密度持续增大并趋于饱和，而自旋向上的重空穴电流密度几乎可忽略不计。相较于轻空穴，所施加的偏置电压和磁场对重空穴的共振极化能、极化效率及电流密度具有更显著的影响。
关键词： 异质结构，反向偏压，电流密度
更新于2025-09-23 15:21:01
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以各种偶氮染料作为活性层组分的光伏电池
摘要： 首次展示了六种以杂环偶氮染料为活性层的电池的光伏响应。这些活性偶氮层因取代基类型（即给电子基团：CH3、OCH3和吸电子基团：Br）而异。我们证明通过改变杂环偶氮染料中的取代基可以改变器件的功率效率。需要指出的是，所有展示的数据都表明杂环偶氮染料在实现高效光伏输出方面具有巨大潜力。所研究的杂环偶氮染料比采用4-二乙氧基苯基硅烷基偶氮苯的电池具有更高的光伏参数。
关键词： 理论DFT计算、光伏电池、薄膜、杂环偶氮染料、电流密度-电压特性
更新于2025-09-23 15:19:57
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电子泄漏对AlxGa(1?x)N/GaN紫外LED效率下降的影响
摘要： 高效AlxGa1?xN/GaN深紫外发光二极管广泛应用于水净化和医疗诊断领域。然而这类器件存在效率下降问题，即效率骤降现象。现已发现多种导致效率骤降的原因，其中电子泄漏（EL）是重要诱因之一——电子在复合前就从器件有源区泄漏出去。AlxGa1?xN/GaN深紫外LED中的电子泄漏与温度和载流子浓度相关。本研究探究了极化电荷对载流子浓度影响下的深紫外LED效率骤降现象，发现当极化效应与应用电流增强时，器件效率会降低。
关键词： 电子泄漏（EL）、效率下降、电流密度、紫外LED、内量子效率、AlGaN/GaN
更新于2025-09-23 15:19:57
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利用金刚石氮-空位磁测法观测到金属导线中电流密度的表观离域现象
摘要： 我们报道了对绝缘金刚石衬底上金属微丝中连续电流产生的磁场进行的定量分析。通过氮空位（NV）色心层（该色心层经人工设计位于金刚石表面附近）进行光学检测磁共振光谱测量，获取塞曼位移数据从而绘制矢量磁场的空间分布图。研究发现面内磁?。雌叫杏诮鸶帐砻娴拇懦。┫灾跤谠げ庵?，而面外磁场也呈现异常调制现象。当假设电流完全局限在金属导体内（与电流密度分布细节无关）时，实测磁场与安培环路定律及磁高斯定律均不相容——该结果在多个金刚石样品中复现，其中对安培定律的测量偏差高达94(6)%（即15倍标准差违背）。为解释这一磁异常现象，我们提出广义描述模型：允许电流同时在NV传感层上方（包括金属微丝内部）和下方（即金刚石内部）流动?；诟盟ǖ滥Ｐ偷谋劝?萨伐尔定律反演，可唯一确定两种电流密度的解，该解完全吻合实验数据、符合经典电动力学定律，且其NV测量总电流值与电学测量电流高度一致。但该模型同时得出惊人结论：在某些情况下多数电流似乎流经金刚石衬底而非金属微丝，并沿微丝横向在金刚石中扩散数微米距离。邻近测试微丝间未观测到电导通现象，排除了常规导电效应。即便在金属微丝与金刚石间插入绝缘层或将金属微丝替换为石墨烯带，电流向金刚石的表观离域化现象依然存在。虽然讨论了测量误差、数据分析问题或电流诱导磁化效应的可能性，但这些解释均不如上述模型合理。理解和消除这一异常现象，对未来将NV磁测技术应用于电荷输运研究至关重要。
关键词： 金刚石磁测法、氮空位中心、毕奥-萨伐尔定律、安培定律、磁场成像、电流密度
更新于2025-09-23 16:58:33
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2016年欧洲显微镜学大会：会议录 || 用于局部表面改性的原位低能氩离子源
摘要： 已设计出一种用于样品表面改性的新型原位低能离子源。该离子源基于低能离子轰击原理，通过Ar+、N+或He+等离子束可实现对样品表面的局部改性。典型能量范围为10-100电子伏特，覆盖从化学反应到离子刻蚀直至离子注入的多种相互作用类型。其工作原理如下：灯丝发射的电子经灯丝与栅极间电势差加速后射向栅极，随后进入栅极与样品间的充气区域使气体电离，最终离子在栅极与样品间电势差作用下被加速轰击样品。该离子源可产生能量10-100电子伏特（半高宽7.1微米）的可调静态离子束，在100电子伏特时中心离子电流密度达0.019纳安/平方微米，与常规ICP源100电子伏特时的电流密度非常接近。通过调节偏置电压可精准控制低能离子的作用区域。该技术的首批应用包括对化学气相沉积制备的过渡金属二硫化物层状材料顶面进行抛光，或改善感应耦合等离子体制备的液相外延表面。图1展示了离子束作用的实例：采用100电子伏特氩离子在25秒内清除了硅表面的自然氧化层。
关键词： Ar+、表面改性、低能离子源、化学反应、半高宽、原生氧化层去除、离子刻蚀、感应耦合等离子体、电流密度、静态束流、N+、离子轰击、过渡金属二硫化物、He+、液相外延、离子注入、原位、气体电离、灯丝、栅极、化学气相沉积
更新于2025-09-24 06:15:23
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短脉冲激光照射金属靶产生的宽带太赫兹辐射
摘要： 研究了亚皮秒激光脉冲入射金属靶材时低频辐射的产生机制。激光场驱动金属表层下方薄层中的时变电流，该电流发射以太赫兹频率为峰值的宽带辐射。我们建立了适用于垂直入射激光脉冲与铜相互作用的静电模型（一维），并耦合无限薄圆盘的辐射模型——后者以轴向积分电流密度的时间依赖性作为输入参数（该参数源自静电模型）。针对不同强度和脉宽的激光脉冲，计算了辐射功率、能量及光谱等关键特征。单位立体角辐射能量在偏离靶面法线的小角度处达到峰值，并随角度增大而衰减。在低频极限下，获得了辐射能量与入射激光能量的解析标度关系：erad ∝ e^(3/2)laser。为保证计算精度，必须采用电子热容在简并态与理想气体极限下的完整表达式，否则可能导致辐射能量计算误差高达一个数量级。对8-12 GHz频段内计算值与实测辐射能量的对比显示：两者随激光能量的变化趋势相似且量级相当（≈1飞焦）。
关键词： 电流密度、太赫兹辐射、激光-金属相互作用、电子热容、宽带辐射
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年IEEE第16届第四组光子学国际会议(GFP) - 新加坡, 新加坡 (2019.8.28-2019.8.30)] 2019年IEEE第16届第四组光子学国际会议(GFP) - 面向氮化硅光子平台中波导上透明电路的实现
摘要： 我们展示了在氮化硅波导上使用金属碳纳米管（CNTs）制成的透明电导体。在氮化硅微环谐振器（MRR）上以2%的最优覆盖率覆盖时，在电流密度达到35 μA/μm之前，透射率变化可忽略不计。
关键词： 氮化硅波导、微环谐振器、电流密度、金属碳纳米管、透明导电体
更新于2025-09-16 10:30:52