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[2018年IEEE国际未来电子器件会议（IMFEDK）- 日本京都（2018.6.21-2018.6.22）] 2018年IEEE关西国际未来电子器件会议（IMFEDK）- 栅漏极接入区采用p-GaN层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中电流崩塌现象的抑制
摘要： 为了降低电流崩塌效应，我们研究了一种特殊的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构，在栅极-漏极接入区设置了隔离的p-GaN层。与传统HEMT相比，增加隔离p-GaN层使电流崩塌现象显著抑制了98%。研究还发现，当p-GaN区域更靠近栅极时，电流崩塌的抑制效果更为显著。
关键词： 电流崩塌，高电子迁移率晶体管，AlGaN/GaN，p-GaN层
更新于2025-09-23 15:22:29
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[2018年IEEE国际未来电子器件会议（IMFEDK）- 日本京都（2018年6月21日-2018年6月22日）] 2018年IEEE关西国际未来电子器件会议（IMFEDK）- 采用双场板结构改善AlGaN/GaN MOS-HEMTs的电流崩塌效应
摘要： 我们制备了具有双场板（栅场板和源场板）的AlGaN/GaN MOS-HEMT器件。通过脉冲I-V测试技术研究了场板对电流崩塌效应的影响。施加高正栅压可实现电流崩塌抑制。研究发现采用双场板结构能有效显著抑制电流崩塌现象。
关键词： 电流崩塌，MOS，AlGaN/GaN，场板
更新于2025-09-23 15:22:29
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采用PECVD法制备的SiNx、SiON和SiO2作为栅介质与钝化层的AlGaN/GaN MIS-HEMT
摘要： 在AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）中，采用SiNx、SiON和SiO2三种不同绝缘层作为栅介质和钝化层。这些材料通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统制备。研究发现它们在栅极漏电流、击穿电压、界面陷阱和电流崩塌特性方面存在显著差异：SiON MIS-HEMT展现出最高的击穿电压和导通/截止电流比（Ion/Ioff）；SiNx MIS-HEMT在抑制电流崩塌方面表现优异但具有最高的栅极漏电流密度；SiO2 MIS-HEMT虽具有最低的栅极漏电流密度却出现金属-绝缘体-半导体（MIS）二极管的早期击穿现象。界面陷阱分析表明：SiNx MIS-HEMT具有最大的浅能级陷阱密度和最小的深能级陷阱密度，而SiO2 MIS-HEMT的深能级陷阱密度最高。通过光致发光（PL）光谱确认了导致电流崩塌的成因。综合直流（DC）特性来看，SiNx与SiON各具优缺点。
关键词： 界面陷阱，MISHEMT，氮化镓，等离子体增强化学气相沉积，电流崩塌，介质层
更新于2025-09-23 15:22:29
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高沟道电导率、高击穿场强及低电流崩塌的AlGaN/GaN/Si δ掺杂AlGaN/GaN:C HEMTs
摘要： 本文报道了一种基于硅衬底的高沟道电导率、高击穿场强（E?。┘暗偷缌鞅浪匦缘腁lGaN/GaN/Si δ掺杂AlGaN/GaN:C HEMT器件，该器件通过采用硅掺杂AlGaN背势垒实现性能优化。硅δ掺杂AlGaN背势垒用于补偿碳掺杂半绝缘GaN缓冲层导致的沟道电导率下降。最大漏极电流从412 mA/mm提升至720 mA/mm，峰值外置跨导从103 mS/mm提高至210 mS/mm。通过在GaN沟道中插入硅δ掺杂AlGaN背势垒层，有效降低了栅极与漏极间的电场强度，从而抑制了GaN:C缓冲层中碳诱导受主陷阱对沟道电子的俘获。结合硅δ掺杂AlGaN背势垒的高电导率与GaN:C缓冲层的高电阻特性，该器件展现出优异的高击穿场强和低比导通电阻特性。实验观测显示：在10 μA/mm（7微米栅漏间距）条件下，器件承受769 V栅漏电压时对应0.53 mΩ·cm2比导通电阻，此时栅漏间电场强度达1.1 MV/cm。
关键词： 高沟道电导率、高压器件、硅δ掺杂AlGaN背势垒、氮化镓、电流崩塌（CC）
更新于2025-09-23 15:22:29