[IEEE 2019国际半导体会议（CAS）- 罗马尼亚锡纳亚（2019.10.9-2019.10.11）] 2019年国际半导体会议（CAS）- 用于小信号电容检测的压控振荡器

摘要： 采用碳化硅MOSFET构建了带隔离变压器的三相5千瓦LLC串联谐振直流/直流变换器。晶体管约200千赫的开关频率成功减小了这些隔离变压器的体积，而绝缘栅双极型晶体管（IGBT）无法实现如此高的开关速度。碳化硅MOSFET的1200伏耐高压特性使输入电压可提升至600伏。但耐高压特性与低导通电阻对硅MOSFET而言难以兼得。该变换器采用三相电路拓扑结构，在实现5千瓦功率容量的同时降低了单相电流。三相间的电流平衡变压器有效抑制了电路中最大峰值电流的产生，这一技术缩小了输入和输出电容的尺寸。该变换器在5千瓦运行时的转换效率达到97.6%。