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大功率脉冲磁控溅射中的气体击穿与放电形成
摘要: 研究了不同靶材在高功率脉冲磁控溅射中的放电行为,观察到显著的电流-电压曲线和靶电流波形差异。随着元素在周期表中族和周期的原子序数增加,击穿电压和最大靶电流呈现周期性下降。研究发现靶电流密度主要受二次电子发射产率影响,因此其数值无法直接评估高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)过程中溅射原子的电离程度。本文通过分析电压电流特性,探讨了二次电子发射、溅射产率和电离能对溅射原子电离程度的交互影响。据此可将靶材按电离程度分为三类:1)低电离度靶材(如Ag和C,<10%);2)中等电离度靶材(如Cr和Cu,分别为55%和35%);3)存在第二电离过程的Ti、Zr和Mo靶材。这些结果为先进HiPIMS应用提供了直观的操作参数范围。
关键词: 光学发射光谱法(OES)、电离度、电流波形、气体击穿、高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)
更新于2025-09-23 15:22:29