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基于In(Zn)As–In(Zn)P–GaP–ZnS量子点的高效近红外发光二极管
摘要： 近红外（NIR）照明在需要隐蔽非可见光源的新型人脸识别技术和眼动追踪设备中发挥着日益重要的作用。特别是采用这些技术的移动或可穿戴设备，需要超薄柔性的电子发光组件——这一需求目前尚未被传统砷化镓基二极管满足。胶体量子点（QDs）和新兴钙钛矿发光二极管（LEDs）虽能填补这一空白，但通常含有镉或铅等受限重金属。本研究报道了一种基于无重金属In(Zn)As–In(Zn)P–GaP–ZnS量子点的新型近红外发光二极管。通过连续注入合成法制备的巨壳结构量子点，在850纳米波长处呈现强烈光致发光，量子效率高达75%。经短链1-巯基-6-己醇（MCH）配体交换后，量子点不仅具备极性溶剂加工性，更显著提升了电子器件中的电荷传输性能。采用溶液加工工艺制备的ITO/ZnO/PEIE/QD/Poly-TPD/MoO3/Al电致发光器件，实现了4.6%的高外量子效率和8.2 W sr?1 m?2的最大辐射亮度。这标志着胶体III-V族半导体量子点体系在近红外器件性能上的重大突破，有望在新兴消费电子产品中获得重要应用。
关键词： 隐蔽的，发光二极管，照明，电致发光，量子点，近红外
更新于2025-09-12 10:27:22
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采用不同接触材料的溶液法制备CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PbI<sub>3</sub>钙钛矿太阳能电池中电致发光瞬态特性与稳态太阳光输出的相关性
摘要： 记录了溶液法制备的CH3NH3PbI3钙钛矿太阳能电池在不同偏置电压条件下的电致发光（EL）瞬态过程。这些EL瞬态具有可逆性，在1至10秒范围内呈现急剧上升和峰值，随后信号在30至60秒内衰减。我们探讨了不同特征的可能成因：偏压期间主导复合区域的变化导致EL增强，而EL衰减阶段则源于离子迁移诱导的非辐射复合中心。此外，当极化电压斜升时EL瞬态缩短，表明微观机制随电场增强而加速。采用致密型（而非介孔型）TiO2电子接触层制备的电池展现出更快的动力学特性，凸显了动力学与界面性质的关联。使用不同空穴接触层的实验表明，在接近30°C（与MAPI材料已知四方相向立方相转变温度37°C相近）时，可观察到所述行为特征及瞬态峰值时间。稳态EL方面，不同空穴传输层材料样品的开路电压与EL强度具有相关性。温度依赖性EL瞬态也呈现非单调特性——在约30°C时（接近MAPI材料37°C的晶相转变温度）同时出现EL强度峰值和峰值时间峰值。
关键词： 钙钛矿太阳能电池、辐射产率、电致发光、辐射发射
更新于2025-09-12 10:27:22
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标准CMOS工艺中高光功率密度正向偏置硅LED的电致发光光谱分析
摘要： 采用标准互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺制备了具有高功率密度p?-n结和楔形电极的硅发光二极管（Si-LED），并测量了其在不同正向电流下的电致发光（EL）光谱。通过研究EL光谱，发现了两个有趣的现象：一是随着正向电流增大，EL光谱主峰从长波长（1135 nm）向短波长（1078 nm）移动；二是观测到两个能量高于带隙（Eg）的发光峰。本研究首次对这两个现象给出了合理解释：峰值移动是由于正向电流增大时，无需声子辅助的束缚激子电子-空穴对复合速率，快于需要声子辅助的束缚或自由激子复合速率；而两个高能发光峰的存在则是由于强电场作用下，热空穴从晶格吸收一个或两个声子后与导带电子复合所致。
关键词： 楔形针尖电极，CMOS标准技术，电致发光（EL）光谱，硅基发光器件（Si-LEDs），强电场
更新于2025-09-12 10:27:22
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基于纯有机磷光发射体的高效电致发光器件
摘要： 我们开发了一种具有室温磷光（RTP）特性的纯有机分子2,6-二(吩噻嗪基)萘（DPTZN）。值得注意的是，基于三嗪-苯并咪唑的分子TRZ-BIM能显著提升DPTZN与TRZ-BIM混合薄膜中的RTP效率。10wt% DPTZN:TRZ-BIM混合薄膜的光致发光（PL）量子产率（PLQY）达到38%。通过稳态、时间分辨及温度依赖发射光谱对DPTZN:TRZ-BIM混合薄膜的RTP特性进行了表征。以10wt% DPTZN:TRZ-BIM混合薄膜作为发光层制备的有机发光二极管（OLED）展现出高达11.5%的最大外量子效率（EQE）、33.8 cd A?1的电流效率（CE）和32.6 lm W?1的功率效率（PE）。本研究建立了一种高效制备无贵金属有机薄膜的方法，可用于制造高性能磷光OLED器件。
关键词： 电致发光、有机发光二极管、磷光材料、有机磷光、室温磷光
更新于2025-09-12 10:27:22
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电致发光测试研究湿度对太阳能电池运行的影响
摘要： 电致发光测试是一种常用于验证光伏电池性能并定性检查其完整性的实验。该测试通过将光伏电池作为正向偏置二极管运行：?？橹蟹⒐獾牡绯乇砻髌涔ぷ髯刺?。此测试可估算整个光伏模块的最大性能。我们对48个光伏电池?？榻辛说缰路⒐舛ㄐ约觳?，这些?？榇饲耙寻沧霸谝蛔⌒途酃馓裟艿缯局校糠帜？樾阅艿陀谠て?。首次电致发光测试显示仅61.5%的光电池正常工作。由于各?？槟诖嬖诳杉艹奔Ｏ?，部分失效模块在气候箱中接受了除湿处理。二次电致发光测试表明，干燥处理后正常工作的电池比例提升至66.3%。
关键词： 湿度、电致发光、气候室、光伏
更新于2025-09-12 10:27:22
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具有改进型多量子阱结构的高效准二维钙钛矿发光二极管
摘要： 具有多量子阱结构的准二维（quasi-2D）钙钛矿材料能增强激子结合能并实现可控的量子限域效应，是制备高效钙钛矿发光二极管（PeLEDs）的理想材料。然而这类材料中存在的多相混合会导致钙钛矿薄膜表面产生非辐射复合。本研究采用简便的溶液表面处理方法优化准二维钙钛矿发光层的多量子阱结构，有效降低了缺陷诱导的非辐射复合及电场诱导的激子解离对PeLEDs性能的影响。通过紫外吸收光谱和变温光致发光光谱测量验证了多量子阱结构的改善效果。经表面处理的准二维钙钛矿薄膜光致发光量子产率提升了约200%，同时电致发光器件实现了45.9 cd/A的电流效率。
关键词： 电致发光、准二维钙钛矿发光二极管、表面处理、多量子阱结构、光致发光量子产率
更新于2025-09-12 10:27:22
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用于硅基电驱动电信O波段红外光产生的共轴GaAs/(In,Ga)As量子点嵌阱纳米线异质结构
摘要： 基于砷化镓的核壳结构纳米线在硅衬底上单片集成，构成了一类极具前景的纳米结构体系，有望实现用于芯片间/片内高速光互连的光发射器。我们设计并制备了同轴型砷化镓/(铟镓)砷量子点嵌阱纳米线异质结构，使其自发辐射波长位于硅材料透明波段——这对硅光子学应用至关重要。具体而言，我们在通信O波段实现了1.27微米室温辐射。通过扫描透射电子显微镜的结构分析证实了该异质结构中量子点的存在。采用阴极荧光与光致发光光谱技术研究了这些纳米线结构的自发辐射特性。热载流子向更大尺寸量子点的再分布效应解释了室温下获得长波长辐射的现象。最后，为验证该纳米线异质结构作为硅基单片集成电驱动光源的可行性，我们制备了在1.26微米波长呈现室温电致发光的发光二极管器件。
关键词： 电致发光、硅衬底、量子点阱结构、发光二极管、纳米线异质结构
更新于2025-09-12 10:27:22
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基于1,8-二甲基咔唑-三嗪共轭物的偶极与四极发光体用于高效蓝色热活化延迟荧光有机发光二极管
摘要： 设计并合成了以1,8-二甲基咔唑为给体(D)单元、三嗪为受体(A)核心的高效蓝色热活化延迟荧光发射体。与D-A型发射体相比，D-A-D型发射体展现出更优异的光致发光和电致发光(EL)性能，其蓝光EL发射具有高达21.2%的最大外量子效率。
关键词： 有机发光二极管、光电子学、给体-受体体系、电致发光、延迟荧光
更新于2025-09-11 14:15:04
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解码聚合物p-n结：可控去掺杂与反向偏置电致发光
摘要： 聚合物发光电化学池（PLEC）是一种独特的固态器件，兼具低成本应用的优异特性，但其结区结构仍存在认知不足。该器件中施加的电压会引发半导体聚合物的原位电化学p/n型掺杂，并形成动态发光p-n结。当结区通过冷却或化学调控固定后，"冻结结区"PLEC会呈现单极电致发光（EL）与光伏响应。然而反复热循环会使冻结结区PLEC在正向偏压下产生显著增强的EL，并伴随反向偏压EL的出现。本研究通过输运测量与直接成像相结合的方法，揭示了这种神秘反向偏压EL的起源。研究建立的模型表明：反向偏压EL源于带隙态中的电子与空穴隧穿注入p/n掺杂区之间的去掺杂"本征"区域。该模型阐释了正向与反向偏压下EL的位置分布、相对强度及演化规律，其结果暗示实际结区宽度远小于先前解析值。
关键词： 电化学掺杂、发光聚合物、p-n结、电致发光
更新于2025-09-11 14:15:04
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P-9.12：电致发光量子点的现状与发展趋势
摘要： 本次演示将通过我们的专利布局分析，概述电致发光量子点（EL-QD）技术，指出关键参与者、技术选择及其关注的具体特性。
关键词： 量子点、专利、广色域、电致发光
更新于2025-09-11 14:15:04