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oe1(光电查) - 科学论文

9 条数据
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  • 锶掺杂锰氧化物薄膜的磁光特性与输运特性之间的相关性

    摘要： 利用1.1-4.2 eV能区的磁圆二色性(MCD)研究了不同厚度的La0.7Sr0.3MnO3、Pr0.8Sr0.2MnO3和Pr0.6Sr0.4MnO3多晶薄膜的电子结构特征，并测试了样品电阻的温度特性。发现高锶含量(0.3和0.4)的薄膜表现为高温半导体，在电阻率温度曲线的峰值处，样品会在特定温度TM-S转变为金属态（该转变温度因薄膜厚度而异）。低锶含量(0.2)的薄膜在所用温区内呈现绝缘体特性。通过将MCD谱分解为高斯线型，并对比各谱线强度的温度依赖性与薄膜磁化强度及导电类型的关系，揭示了半导体薄膜中四条特定高斯线的差异性温度行为。对于绝缘型Pr0.8Sr0.2MnO3样品，三条高斯线强度的温度变化规律与磁化强度变化一致。研究表明镧系元素(La/Pr)类型对同导电类型薄膜的MCD谱形貌无影响，且建立了MCD数据与导电类型的关联。结合文献中已知但超出本谱区范围的吸收带进行综合分析后，成功将所研究锰氧化物薄膜的MCD谱峰归属为不同本质的电子跃迁。

    关键词： 磁圆二色性、薄膜、电子性质、电输运、晶体结构、锰氧化物

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 极性可控垂直ZnO纳米棒上的肖特基接触

    摘要： 通过化学浴沉积法实现氧化锌的极性可控生长，为调控纳米棒垂直阵列的晶体取向提供了一种方法。精确控制纳米棒的形貌与结构对提升压电纳米发电机等光电器件性能至关重要，但目前针对该结构极性晶面构建明确肖特基接触的研究仍属空白。本研究展示了一种制备金属-半导体-金属器件结构的工艺：在纳米棒最顶端极性晶面上沉积金电极形成垂直阵列，并证实氧极性纳米棒（约0.44电子伏特）的有效势垒高度显著高于锌极性纳米棒（约0.37电子伏特）。阴极荧光光谱分析表明，氧等离子体处理能减少与辐射发光相关的中带隙缺陷，使肖特基接触从弱整流转变为强整流。值得注意的是，相较于锌极性纳米棒中会演化为低配位复合物的锌空位相关氢缺陷复合体（VZn,Hn），氧等离子体处理通过淬灭氧位点上供体型替代氢（HO）对减少氧极性纳米棒载流子数量表现出更显著效果。这种对氧极性纳米棒中HO的作用同时大幅降低了可见光区缺陷浓度，导致电导率下降并形成更高有效势垒高度。该协同效应可有效控制辐射损耗与电荷泄漏，从而提升动态光电探测器、应变传感器及LED等器件的性能，同时证明氧极性纳米棒在此类应用中优于锌极性纳米棒。

    关键词： 氧化锌、阴极发光、电输运、极性、肖特基接触、纳米棒、缺陷

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • Tl2S-GeS-GeS2体系：玻璃形成、宏观性能与电荷传输

    摘要： 通过分析两条组成玻璃线(Tl2S)x(GeS2)100-x（0≤x≤50）和(Tl2S)10(GeS)x(GeS2)90-x（0≤x≤90），以及三种含铊晶体化合物Tl4Ge4S10、Tl4Ge2S6和Tl4GeS4，找到了一种研究Tl2S-GeS-GeS2体系中玻璃形成区、宏观性质及电导率变化的相关方法。通过比较玻璃与最邻近晶体化合物的结构特征，可以解释二元Tl2S-GeS2体系中结晶能力的变化。随着铊浓度增加，室温直流电导率增大7个数量级，(Tl2S)50(GeS2)50样品达到10-8 S cm-1值。结合(Tl2S)x(GeS)60(GeS2)40-x和(Tl2S)x(GeS)50-x/2(GeS2)50-x/2组成线的铊扩散参数以及晶体类似物的电导特性，分别估算了(Tl2S)x(GeS2)100-x玻璃中的离子和电子电导率。贫铊玻璃(x≤0.25)本质上是半导体，而富铊玻璃合金表现为离子导体。(Tl2S)10(GeS)x(GeS2)90-x玻璃的电导参数随GeS浓度非单调变化，在60%摩尔比GeS处出现电导最小值。无铊(GeS)x(GeS2)100-x基质也呈现相同行为，表明GeS/GeS2比例对贫铊半导体玻璃性质的影响。

    关键词： 玻璃形成、电输运、离子传导、硫锗酸铊玻璃

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 纳米线网络中电传输的预测模型

    摘要： 高长径比导电纳米线构成的稀疏网络能兼具高电导率与优异光学透明性，这使得纳米线在透明电极、晶体管、传感器以及柔性/可拉伸导体中得到广泛应用。尽管导电纳米线薄膜的材料和应用层面已得到充分研究，但目前仍缺乏能将线电阻、接触电阻和纳米线密度等基础物理量与薄膜方阻相关联的模型。本文基于并联电阻网络分析，推导出纳米线网络内部电传导的解析模型。该模型能捕捉传输特性并适配大量实验数据，可确定物理参数与性能限制因素，这与常用的渗流理论形成鲜明对比。因此，该模型为评估和优化各类应用中的纳米线网络提供了具有预测能力的实用工具。

    关键词： 纳米线、电输运、模型、渗流、碳纳米管、纳米线网络、银纳米线

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • Fe3?和La3?共掺杂(Pb,Sr)TiO?薄膜的电输运特性与复阻抗研究

    摘要： 本研究探讨了Fe3?和La3?共掺杂对PST薄膜结构、电输运及介电弛豫特性的影响。XRD和拉曼光谱数据显示，Fe3?与La3?掺杂引发了伪立方相向四方相的结构转变。通过温度-电流电压曲线计算得出，PST、PSTF和PSLTF薄膜的肖特基势垒高度分别降至1.20、0.59和0.36 eV，该现象直接归因于氧空位浓度的增加。样品阻抗的频率依赖性表明所有薄膜均存在典型电弛豫现象。由阻抗虚部计算得到的激活能分别为1.73 eV和0.57 eV：较高值（1.73 eV，PST薄膜）表明存在长程氧空位扩散，而较低值（0.57 eV，PSLTF薄膜）则与短程氧空位扩散相关。

    关键词： 介电弛豫、薄膜、电输运、阻抗谱

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • Sb<sub>x</sub>W<sub>1-x</sub>Se<sub>2</sub>（x=0、0.5）三元合金的结构与电学性能

    摘要： 本文首次报道了SbXW1-XSe2（0、0.5）三元合金的合成与性能研究。采用直接气相传输法生长了该三元合金单晶，XRD结果表明其具有P63/mmc空间群的2H六方晶格结构，且晶体沿c轴高度取向。Sb0.5W0.5Se2晶体的生长过程以螺位错机制为主导。电学测试表明该材料呈现n型半导体特性。拉曼光谱中观测到对应2H多型体二维异质结的A1g面外振动、E2g面内振动及2LA声子模特征峰。由于离子半径相似，Sb(+5)可取代W(+4)晶格位置。通过组分调控将带隙从0.93 eV拓宽至1.40 eV，为高性能器件的材料特性优化提供了有效途径。

    关键词： 结构特性，SbXW1-XSe2（0，单晶生长，0.5）三元合金，电输运

    更新于2025-09-24 01:34:14

  • TiS?单晶中的缺陷控制掺杂与电输运特性

    摘要： 二硫化钛（TiS2）因其高导电性，已被广泛研究作为储能与转换应用中的电极材料和热电材料。理解缺陷对电子输运的影响，不仅对解决TiS2本质这一长期悬而未决的问题至关重要，也对合理设计基于TiS2的能量收集器件具有重要意义。本研究综合运用光电子能谱、拉曼光谱和电输运测量，确定了缺陷主导的化学成分及其对掺杂和电学性质的影响。结果表明，TiS2是一种重自掺杂半导体，费米能级接近导带，这为TiS2的半导体本质提供了决定性实验证据。掺杂效应对其化学成分的（微妙）变化十分敏感。钛间隙原子（Tii）向TiS2基体的电子供给解释了高载流子浓度现象，而作为受主的钛弗伦克尔缺陷对（TiF）则导致电子载流子浓度和电导率下降。部分氧化后仍保持高导电性，表明其电子结构具有抗氧化特性。本研究揭示了缺陷调控下电子性质的演变规律，明确证实了TiS2的自掺杂半导体本质，以及其作为先进能量收集材料所具备的化学与环境耐受性。

    关键词： 二硫化钛、掺杂、缺陷、电输运、能量存储、能量转换、光电子能谱、热电材料、拉曼光谱

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 强耦合Cr-SiO?纳米颗粒金属中的普适霍尔系数修正

    摘要： 系统研究了Cr体积分数x≈0.67和0.72的Crx(SiO2)1?x纳米颗粒薄膜的微观结构与电输运特性。透射电镜图像及元素分布图显示薄膜具有显著非均匀性：部分Cr颗粒直接相互连接，另有尺寸约1-3纳米的Cr颗粒分散于SiO2介电基质中。各薄膜的霍尔系数RH在≈60K以上随温度自然对数线性变化（即ΔRH∝lnT），在≈60K处饱和，并在≈60K以下保持该饱和值。该霍尔系数温度依赖性可由最新颗粒金属理论解释，其源于电子通过金属颗粒的虚拟扩散过程。对于电导率σ，在≈50K至2K范围内观测到稳定的Δσ∝√T关系，该电导行为源自"Altshuler-Aronov"修正效应——该效应对薄膜霍尔系数无影响。

    关键词： 霍尔输运、电输运、库仑相互作用的量子效应、颗粒膜

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 通过设计前驱体的定向自组装合成(BiSe)<sub>1+δ</sub>(Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>)<sub>1+γ</sub>(BiSe)<sub>1+δ</sub>TiSe<sub>2</sub>

    摘要： 报道了一种由BiSe、Bi2Se3和TiSe2层构成的新型三元异质结构（各层具有不同结构基元）的合成、结构及性能。(BiSe)1+δ(Bi2Se3)1+γ(BiSe)1+δTiSe2（其中δ和γ为表征组分面内堆积密度差异的失配参数）通过低温退火过程中前驱体（具有不同成分和重复周期厚度）的自组装形成。这表明该化合物存在于能量景观中较宽且深的自由能极小值区域。研究采用X射线衍射追踪了不同退火温度下的形成过程，以确定最佳退火温度和稳定范围。高分辨电子显微镜图像揭示了组分层状序列及BiSe层中由周期性反相边界形成的超晶格。温度依赖的电输运测量显示，其载流子迁移率和浓度相对于(BiSe)1.15TiSe2出现意外变化。本研究表明：通过模拟目标产物的前驱体可合成含已知二元相片段的新三元/多元相，且这些具有超薄组分厚度的新相性能很可能与基于复合行为的预期不同。

    关键词： X射线衍射、电子显微镜、异质结构、BiSe、自组装、TiSe2、Bi2Se3、电输运

    更新于2025-09-04 15:30:14