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缓冲材料和制备气氛对CdTe太阳能电池电性能的影响
摘要: 界面能垒、缺陷能级和缺陷密度等电学特性决定了薄膜太阳能电池的性能。本研究通过基于导纳谱的技术手段证明,这些特性可在碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池中实现量化测定。结果表明,CdTe薄膜太阳能电池的电学特性同时受缓冲层材料和制备气氛影响。研究发现:无论采用何种制备气氛,CdS/CdTe前结仅存在可忽略的前接触势垒,而ZnMgO(ZMO)/CdTe结则呈现明显前势垒;CdS/CdTe与ZMO/CdTe电池均存在背接触势垒。CdS/CdTe电池的缺陷能级比ZMO/CdTe电池更浅。制备气氛会改变电学特性——无氧环境能降低前后势垒高度并减小缺陷能级。该研究为理解和优化CdTe薄膜太阳能电池性能提供了关键依据。
关键词: 导纳谱、界面势垒、碲化镉、等效电路、光伏电池
更新于2025-09-11 14:15:04
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MoS2层转移对MoS2/SiO2界面静电特性的影响
摘要: 通过研究少层MoS2薄膜向SiO2衬底的内部光电子发射现象,我们发现MoS2层转移工艺会破坏界面电中性,导致与直接在SiO2上合成的同种薄膜相比,电子势垒高度升高约0.5-1 eV。该效应源于界面偶极层的形成,初步归因于H2O分子与SiO2表面相互作用导致硅羟基(SiOH)团簇的引入。这种界面电中性破坏可能是超薄转移薄膜中额外电子散射和阈值电压不稳定的诱因。研究表明,转移后采用H2S退火处理可减轻转移导致的界面退化。
关键词: 层转移、内光发射、界面势垒、二维材料
更新于2025-09-10 09:29:36