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??化锑（Sb?Te?）生长研究表明：纳米尺度载流子畴的形成是与电子应用相关的内在特性
摘要： Sb2Te3展现出大量具有基础研究价值的电子现象，使其成为电子相变存储单元、热电器件和三维拓扑绝缘体结构的理想材料。因此，制备具有明确电子特性的纳米结构与薄膜的精准调控至关重要。我们研究组此前通过溶剂热化学合成法，在六方相Sb2Te3纳米片中观察到对称红外畴区。所观测到的相对光学对比度间接关联着不同缺陷密度（载流子浓度）区域的形成。这引出了本研究要解决的两个核心问题：畴区形成是否仅限于特定纳米片生长过程？否！两种畴区的红外光谱是否真的遵循"类德鲁德"自由载流子响应？是！通过调控初始水浓度，我们促进了纳米片沿c轴方向生长，并将其形貌从片状调谐为八面体状。尽管生长模式从螺旋生长转变为逐层生长，但利用散射式扫描近场光学显微镜(s-SNOM)仍识别出相似的红外畴区。此外，我们在分子束外延(MBE)生长的薄层高质量晶体薄膜中也复现了对称红外畴区的形成。较小Sb2Te3纳米颗粒的归一化红外近场光谱显示两个畴区的等离子体频率存在相对偏移。这些发现证明：具有不同载流子特性的畴区形成是Sb2Te3的本征材料属性，可能对其所有电子应用产生重要影响。
关键词： 红外近场显微镜，碲化锑，畴形成，范德华材料，过渡金属二硫化物，外延生长
更新于2025-09-23 15:21:21
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太赫兹量子级联激光器中的光子驱动宽带发射与频率梳射频注入锁定
摘要： 我们展示了一种发射频率约3太赫兹的均匀量子级联激光器（QCLs），其带宽可达950吉赫兹并呈现单一稳定的拍频信号。该器件自发运行于谐波梳状态，在密集模式状态下能以低至-55分贝毫瓦的极小射频功率在腔往返频率处实现注入锁定。当工作在具有负微分电阻的电学不稳定区域时，器件展现出超过1.83太赫兹（Δf/f=50%）的超宽带运行特性并伴随高相位噪声，同时产生自持周期性电压振荡。其低连续波阈值（115安培/平方厘米）与宽带梳状运行（Δf/f=25%）特性，使这类光源成为片上频率梳应用的极具吸引力的方案。
关键词： 量子级联激光器、太赫兹、畴形成、注入锁定、频率梳
更新于2025-09-23 15:19:57
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非共格二维异质结构中的弛豫与畴形成
摘要： 我们将构型空间作为计算非共面二维（2D）双层膜机械弛豫模式的自然表征方法。该方案通过结合连续介质模型与层间相互作用的广义堆垛错能，可适用于各类二维材料。我们展示了小角度扭转双层石墨烯和过渡金属硫族化合物二维半导体代表材料二硫化钼（MoS2）的计算结果。由于本方法不依赖层间耦合的经验原子势函数，即便在极小扭转角条件下仍能精确计算MoS2的弛豫行为。计算结果表明该构型空间方法能以极低计算成本实现高效弛豫模拟。我们还利用实空间与构型空间的关联关系，系统阐释了近晶格对齐二维双层膜中的畴形成机制。该构型空间方法同样适用于非共面多层体系的弛豫计算。
关键词： 不相称、畴形成、二硫化钼、双层、二维、弛豫、石墨烯
更新于2025-09-09 09:28:46